超接面MOSFET技術助攻　固態繼電器/斷路器大有可為

機電式繼電器與電路斷路器相關技術經過完備的建立，發展已臻成熟，但仍受限於本質上的缺陷。改用固態技術雖然可解決這些問題，卻也同時面臨其他挑戰。在電影中，電燈熄滅或斷電通常會伴隨戲劇性的金屬結構倒塌的巨大聲響，幫助觀眾掌握劇情。一般而言，這種呈現方式十分準確，因為高電壓繼電器及電路斷路器本身大多仍為機電式。除了機電解決方案相關的固有作法外，工程界目前普遍認為半導體技術不適合運用在高電壓切換應用。然而，由於新技術的發展，高電壓切換應用的實際情況正在改變，圖1即為經過3次10...
2020 年 08 月 31 日

建置成本/節能利用最佳化　資料中心功秏/效率錙銖必較

功率轉換效率是一個標題性指標，模組製造商總是彼此競爭，在精心挑選的操作條件下，設法達到95%以上的效率，以至於採用如「相移全橋」(PSFB)和「LLC轉換器」等越來越複雜的轉換拓撲架構來實現這些數字。二極體正被MOSFET取代，以便盡可能降低損耗，「寬能隙」元件因其驚人的開關速度被譽為未來首選的半導體元件。
2020 年 08 月 29 日

精簡電路設計/成本　碳化矽輔助電源驅動效率大增

碳化矽(SiC)技術除了效率更高，還提供眾多優勢，即使在相對簡單的電路，例如反馳式轉換器中，也可以協助設計人員提高功率密度、增強可靠性並節省總體材料成本。業界認為碳化矽功率半導體可以在能源極為寶貴的功率轉換應用中實現更高效率，例如用於太陽能發電機和高階電動汽車。
2020 年 08 月 24 日

特瑞仕通用N通道MOSFET　具低導通電阻/高速開關

特瑞仕半導體株式會社開發了2種MOSFET新產品－XP22x系列(20V耐壓)。 此次發售的產品是具有低導通電阻和高速開關特性的通用N通道MOSFET產品。該產品可用於各種機器應用，如繼電器電路和開關電路。內置了柵極保護二極管作為防靜電措施。...
2020 年 08 月 24 日

東芝發表新型元件結構　SiC MOSFET可靠性提升十倍

東芝推出可提高SiC(碳化矽)MOSFET可靠性的元件結構。相較於東芝的典型元件結構，MOSFET內嵌的SBD(肖特基勢壘二極體)可在抑制導通電阻增大的同時，將元件結構的可靠性提高10倍以上。 功率元件是降低車輛以及工業設備和其它電氣設備能耗的重要元件，而SiC相較於有機矽可進一步提高電壓並降低損耗，因此業界普遍預期其將成為新一代的功率元件材料。雖然SiC目前主要用於車輛變頻器，預計往後的應用領域會涉及於工業設備的各種光伏發電系統(PPS)和電源管理系統(PMS)。...
2020 年 08 月 20 日

電源設計追求高效/低損耗　閘極驅動器巧助SiC設計

對綠色能源生產和減少能源消耗的追求使高效電源電路變得更加重要。在這方面，許多現代電源和轉換器都在更高的電壓下運轉，進而允許使用更低的電流來大幅降低I2R損耗。碳化矽(SiC)MOSFET和二極體是這些新型大功率、高壓功率轉換電路的重要組成元素(圖1)。
2020 年 08 月 17 日

英飛凌推出車用馬達控制IC　實現高整合性

英飛凌科技股份有限公司(Infineon)推出全新馬達系統IC系列產品，專為控制有刷及無刷馬達所設計。本系列IC是全球第一款驅動MOSFET用的複合半橋驅動器，並具備整合式電源及通訊介面。 英飛凌車體動力部門副總裁暨總經理Andreas...
2020 年 07 月 27 日

拓展碳化矽應用　英飛凌發表62mm CoolSiC模組

英飛凌1200V CoolSiC MOSFET模組系列新添62mm工業標準模組封裝產品。62mm封裝之產品採用半橋拓撲設計及溝槽式晶片技術，此封裝為碳化矽打開了250kW以上，矽基IGBT技術在62mm封裝的功率密度極限，中等功率應用的大門。相較於一般的62mm...
2020 年 07 月 20 日

功率密度優勢顯著　GaN HEMT挺進大功率市場

GaN材料具有許多矽所沒有的優勢，且成本結構相當具競爭力。隨著技術日益成熟，安全性與可靠度的疑慮逐漸緩解，許多大功率應用也已經開始嘗試導入。
2020 年 07 月 02 日

寬能隙半導體普及在望　電源轉換損耗再創新低

電氣化趨勢使全球電力需求持續成長，利用寬能隙元件降低電源轉換損耗，將創造可觀的經濟效益與環保價值。
2020 年 07 月 02 日

聯網/供電一兼二顧　PoE設計降耗損迎高功率

聯網的設備依賴於兩個核心功能，即通訊回傳和電源。而物聯網(IoT)設備經常會出現三個核心問題：電源、通訊和安全性。目前Wi-Fi的無線技術已在市場上引起人們的關注多年，但仍為這三個問題困擾。無線電池供電的設備需要定期充電，加上Wi-Fi的頻段飽和，造成兩個常見的問題。較大的功率需求需要連接主電源，使得安裝點複雜並受到限制。
2020 年 06 月 22 日

英飛淩推分離式CoolSiC MOSFET模組化評估平台

雙脈衝測試是設計人員要瞭解功率裝置切換特性的標準程序。為方便測試1200 V CoolSiC MOSFET採用 TO247 3 針腳和 4 針腳封裝的驅動選項，英飛凌(infineon)推出模組化評估平台，其核心包含一個主板與可互換的驅動器卡板，驅動器選項包括米勒鉗制和雙極供電卡；其他版本將於近期內推出。該產品系列有助於推動碳化矽成為主流，縮短多種應用的上市時程。...
2020 年 06 月 05 日
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