恩智浦半導體(NXP)宣布與台積電(TSMC)合作，推出業界首款採用16奈米(nm)鰭式場效電晶體(FinFET)技術的車用嵌入式磁阻式隨機存取記憶體(Magnetic Random Access Memory,...

經濟部技術處於2022 SEMICON Taiwan展出新技術，瞄準記憶體應用、電動車快充、次世代通訊、半導體量測設備與未來多樣化的元宇宙應用，推出包含SOT-MRAM陣列晶片、碳化矽功率模組、氮化鎵射頻高電子遷移率電晶體、2奈米量測機台，以及即時裸視3D服務系統，共五項技術研發成果。其中，碳化矽功率模組可將充電裝電壓提高至800V，滿足電動車的快充需求。 記憶體技術方面，新興磁性記憶體技術平台的目標是為台灣建立磁性記憶體驗證試量產平台與生態系，現階段工研院攜手國內廠商，完成第三代SOT-MRAM技術的開發，該晶片可達到0.4奈秒高速寫入、7兆次讀寫之高耐受度，未來可以整合成先進製程嵌入式記憶體，在人工智慧(AI)、車用電子、高效能運算晶片等領域具有市場應用潛力。 其次，面對半導體產業在化合物半導體領域新的競爭，以及電動車快充的需求，工研院研發充電樁與車載充電器用碳化矽功率模組，採用碳化矽功率半導體元件(SiC...

人工智慧(AI)應用的興起，帶動了高效能運算的發展。為了應付極為繁重的運算任務，處理器、微控制器(MCU)業者，不是推出運算效能更高的新產品，就是推出了內建專用加速單元的解決方案，來提升運算單元處理AI運算的效率。 但運算單元的效能提升，只解決了部分問題。在運算效能大幅提升的情況下，記憶體成為運算效能的瓶頸所在。如何用更低的成本來儲存大量資料，並將這些資料即時傳輸到運算單元進行處理，成為記憶體必須克服的挑戰。 四大次世代記憶體各有挑戰 成功大學電機系副教授盧達生指出，在高速運算領域，記憶體面臨這三個主要的挑戰，分別是如何提高儲存密度、如何提高資料傳輸效能，以及降低功耗。在提高儲存密度方面，記憶體業界已普遍導入3D堆疊架構，來提升資料儲存的密度；在性能方面，則發展出高頻寬記憶體，來解決馮紐曼運算架構的瓶頸。嵌入式記憶體則是頻寬與功耗問題的解答，藉由縮短處理器與記憶體之間的實體距離，記憶體與處理器之間的通訊頻寬得以提高，資料傳輸的功耗也大幅改善。 然而，現有的記憶體技術存在許多限制。例如SRAM雖然有極低的延遲，而且理論上沒有讀寫次數的限制，但其占用的面積相當大，而且斷電後儲存在上面的資料也會遺失；快閃記憶體可以實現相當高的儲存密度，但讀寫次數有限，而且寫入資料的速度慢，功耗也高。 為突破現有記憶體技術的限制，產業界與學術界一直在研究新的記憶體技術。目前最具潛力的次世代記憶體技術有四種，分別是相變記憶體(PCM)、磁性記憶體(MRAM)、電阻記憶體(RRAM)，以及鐵電記憶體(FeRAM)。這些記憶體技術都具有比快閃記憶體更高的寫入速度與更低的功耗，密度也比SRAM更高，同時都具有非易失性，斷電後資料也不會遺失。 但這些新興記憶體技術本身也有許多需要克服的問題。以相變記憶體來說，因為其需要相當大的電流來重置記憶單元，因此其功耗跟讀寫速度，僅略優或相當於快閃記憶體。磁性記憶體的問題則是在量產方面，特別是基於自旋電子的Spin...

半導體業界的年度盛事–超大型積體技術及電路國際會議(Symposium on VLSI Technology and Circuits)，再度成為各大技術研究機構展示其研發成果的舞台。包含比利時微電子研究中心(imec)及台灣的工研院，都在這次論壇期間發表其最新的研究成果。 工研院連結產學　磁性記憶體取得重大突破 工研院在今年的VLSI論壇上，分別發表了與台積電合作的自旋軌道扭矩磁性記憶體(Spin...

在人工智慧(AI)等新應用的帶動下，運算單元的效能不斷升級，也連帶讓儲存資料的記憶體必須具備更大的容量，且資料傳輸的頻寬、延遲要求亦日益嚴格。因此，業界一方面持續在動態隨機存取記憶體(DRAM)跟快閃記憶體技術上投入研發資源，另一方面也在次世代記憶體的研發方面展現更積極的態度，並與像imec這樣的研究機構進行更多研發方面的合作。 三大因素驅動記憶體技術向前邁進 imec記憶體與運算技術研發團隊副總裁Arnaud...

近年來，人們對高密度和低功耗嵌入式非揮發性記憶體(eNVM)技術的興趣日益濃厚，其目標是在新興領域的各種應用，例如自動駕駛汽車(AV)、物聯網(IoT)、還有以數據為中心的人工智慧(AI)應用。有鑑於...

在整合元件製造商(IDM)與晶圓代工業者陸續攻克種種技術門檻後，次世代非揮發記憶體已進入大量生產階段，並使得相關市場規模迅速成長。據研究機構Yole Developpement預估，從2019年到20...

格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)近日宣布，其22nm FD-SOI(22FDX)平台上的嵌入式磁阻記憶體(eMRAM)已投入生產。同時格羅方德正與多家客戶共同合作，計劃於2020年實現多重下線生產。格羅方德樹立業界里程碑，證明了eMRAM的可擴展性在物聯網、通用微控制器、邊緣AI和其他低功耗應用在進階製程節點上是經濟有效的選擇。 格羅方德的eMRAM，讓設計師能夠擴展現有的物聯網和微控制器單元架構，以取得28nm以下技術節點的功耗和密度優勢，並作為大容量嵌入式NOR快閃記憶體的替代方案。 格羅方德的eMRAM是廣泛使用且堅固的嵌入式非揮發性記憶體(eNVM)，已通過五項嚴格的實際迴焊測試，在-40°C到125°C的溫度測試範圍，展現出10萬次循環耐久性和資料保存期限高達十年。FDX...

AI、5G、雲端運算等應用讓資料量暴增，半導體業者因而開始尋求更快、更好、更省成本的儲存解決方案，新興記憶體解決方案遂相繼亮相。

AI和5G等應用讓資料量大增，使儲存需求爆發；半導體產業因而轉向發展具高容量、更快速及低功耗等優勢的新興記憶體。

垂直自旋傳輸記憶體在密度、容量、耗能等方面優於傳統水平式傳輸記憶體，可克服降低寫入電流和提高元件熱穩定挑戰。

物聯網(IoT)、AI、雲端運算、工業4.0等應用推升資訊量呈現爆炸性的成長，所有資料都必須在邊緣收集，並從邊緣到雲端的多個層級進行處理和傳輸、儲存和分析。因應如此龐大的資料儲存、傳輸需求，在DRAM、SRAM、快閃記憶體等存在已久的記憶體技術愈顯吃力的情況下，新興記憶體技術MRAM趁勢而起，而為加快MRAM量產普及速度，應用材料推出全新物理氣相沉積(PVD)平台。 應用材料公司半導體事業群金屬沉積產品處全球產品經理周春明表示，由AI和大數據所推動的新運算需求，加上摩爾定律擴展的趨緩，造成硬體開發和投資的復興。各種規模的企業正競相開發新的硬體平台、架構與設計，以提升運算效率，新興記憶體技術也隨之興起(MRAM、ReRAM和PCRAM等)，這些新型記憶體提供更多工具來增強近記憶體運算(Near...