圖1 GAA奈米片的穿透式電子顯微鏡圖

可製造性大幅提升 外壁叉型片解決GAA量產難題

頂尖晶圓代工廠和垂直整合製造商(IDM)正持續為實現2奈米(或相當等級)技術節點的量產而發展,而環繞閘極(GAA)奈米片(Nanosheet)電晶體在該節點扮演核心角色。GAA奈米片元件架構一直作為鰭式場效電晶體(FinFET)的後繼技術而推行,讓靜態隨機存取記憶體(SRAM)和邏輯標準單元得以進一步縮小尺寸。...
2025 年 12 月 29 日

3D電晶體架構不斷翻新 製程微縮還能繼續走下去

由於製程微縮的技術難度越來越高,半導體業界在過去十年,已兩度大改電晶體的結構設計,以創造出更大的微縮空間。也由於電晶體的結構設計將對電路微縮的潛力產生決定性影響,到2030年代初期,我們或許還將再看到一次電晶體結構的大幅轉變。...
2023 年 10 月 27 日

CFET技術取得重大突破 製程微縮繼續前行

在2021年IEEE國際超大型積體電路技術研討會(VLSI Symposium)期間,imec首次提出叉型片(Forksheet)的元件架構,用來延續奈米片(Nanosheet)電晶體發展,微縮至1nm以下的技術節點(圖1)。...
2022 年 09 月 05 日

新建晶圓廠緩不濟急 晶片缺貨問題得用新解法

雖然一些科技業季度和年度的財報好壞參半,但皆透露出兩個一致的議題─從遊戲機供應商到汽車OEM都想要更多的晶片,而半導體公司仍在努力滿足需求。
2022 年 03 月 03 日