諾發系統開啟32奈米以下微影圖案化製程
諾發系統(Novellus)開發一系列的ashable硬式蝕刻光罩(AHM)薄膜，可達到比目前業界使用的非晶碳薄膜高出百分之二十五的蝕刻選擇性。這種高度選擇性和透明(HST)的AHM薄膜，搭配諾發的專利晶片洗邊技術(EBR)，已證明可改善70%以上的晶片良率。
不論是邏輯或記憶體元件，在32奈米以下的設計規則都需要較高的高寬比(AR)圖案。在這些先進的幾何形狀，電漿增強式化學氣相沉積(PECVD)的非晶碳薄膜，比傳統的光阻更具較高的蝕刻選擇性和優越的機械性能。此外，這種性質的薄膜，可更準確將光阻圖案轉移到基板上，不會有圖案倒塌或線彎曲的壞處。這些非晶碳薄膜還可用於雙重圖形化製程(Double...
2009 年 12 月 07 日
