ROHM推出超薄TOLL封裝SiC MOSFET「SCT40xxDLL」系列　散熱性提升39%

半導體製造商ROHM已開始量產TOLL(TO-LeadLess)封裝的SiC MOSFET「SCT40xxDLL」系列產品。與同等耐壓和導通電阻的傳統封裝產品(TO-263-7L)相比，散熱性提升約39%，兼具小型化及薄型化，能支援大功率。該產品適用於功率密度日益提高的伺服器電源、儲能系統(ESS)以及要求扁平化設計的薄型電源等工業設備。...
2025 年 10 月 21 日

ROHM推出業界頂級功率的2012尺寸分流電阻「UCR10C系列」

半導體製造商ROHM成功開發出實現業界頂級額定功率的2012尺寸分流電阻(10mΩ～100mΩ)「UCR10C系列」產品。 在電流檢測領域，無論是車載市場還是工業設備市場，都要求分流電阻能夠對應大功率。此外，車載市場對高接合可靠性的需求以及工業設備市場對更高精度的需求也逐年增加。ROHM為滿足上述多樣化需求，一直致力於開發高度對應的分流電阻，為客戶提供出色的電流檢測解決方案。...
2025 年 10 月 17 日

ROHM推出創新型保護蕭特基二極體RBE01VYM6AFH　兼顧低VF與低IR特性

半導體製造商ROHM推出一款創新型保護用蕭特基二極體「RBE01VYM6AFH」，該產品在低VF(正向電壓)和低IR(反向電流)兩者難以兼顧的特性之間實現了高度平衡，可為ADAS鏡頭等配備高畫質感光元件的應用提供高可靠性的保護解決方案。...
2025 年 10 月 03 日

ROHM推出二合一SiC模組DOT-247　提升功率密度與設計靈活性

ROHM推出二合一結構的SiC模組「DOT-247」，該產品適用於PV Inverter、UPS和半導體繼電器等工業設備應用。新模組保留了「TO-247」在功率元件中的通用性，同時實現更高的設計靈活性和功率密度。...
2025 年 09 月 25 日

ROHM與Schaeffler合作量產高壓Inverter Brick 推動電動車性能提升

半導體製造商ROHM與德國汽車零件供應商Schaeffler宣布，作為戰略合作夥伴關係的重要里程碑，Schaeffler開始量產針對中國大型汽車製造商所設計、搭載ROHM SiC(碳化矽)MOSFET裸晶片的新型高壓Inverter...
2025 年 09 月 10 日

ROHM推出高側IPD「BV1HBxxx系列」　滿足汽車Zone ECU需求

半導體製造商ROHM針對汽車照明、汽車門鎖、電動車窗等逐步採用Zone ECU的車身相關應用，推出6款不同導通電阻的高側IPD(智慧功率元件)「BV1HBxxx系列」，適合保護系統免於功率輸入過大等影響。全系列產品均符合AEC-Q100車規標準，滿足車載產品的可靠性要求。...
2025 年 08 月 08 日

ROHM推出超小型CMOS運算放大器TLR1901GXZ　實現業界最低電流消耗

半導體製造商ROHM推出工作時的電路電流可控制在業界最低水準的超小型CMOS運算放大器「TLR1901GXZ」。該產品適用於電池或充電電池驅動的攜帶式測量儀器、穿戴式設備和室內探測器等小型應用中的測量放大器。...
2025 年 07 月 31 日

ROHM推出新參考設計「REF67004」　融合類比與數位控制技術提升電源效率

半導體製造商ROHM推出新的參考設計「REF67004」，該設計可透過單個微控制器控制廣泛應用於消費性電子和工業設備電源的兩種轉換器—電流臨界模式PFC(Power Factor Correction)和準諧振返馳式轉換器。透過將ROHM的優勢—由Si...
2025 年 07 月 24 日

ROHM第4代SiC MOSFET助力TOYOTA全新跨界電動車「bZ5」性能提升

搭載半導體製造商ROHM第4代SiC MOSFET裸晶片的功率模組，已導入TOYOTA針對中國市場的全新跨界電動車「bZ5」的牽引逆變器。「bZ5」作為TOYOTA與BYD TOYOTA EV TECHNOLOGY、以及一汽豐田汽車有限公司聯合開發的跨界電動車，由一汽豐田於2025年6月正式發售。...
2025 年 07 月 01 日

ROHM與芯馳科技聯合開發智慧座艙參考設計「REF68003」

半導體製造商ROHM與車規晶片企業芯馳科技，針對智慧座艙聯合開發參考設計「REF68003」。該參考設計主要包含芯馳科技的智慧座艙SoC「X9SP」產品，並配備了ROHM的PMIC產品，展示於2025年上海車展芯馳科技攤位。...
2025 年 06 月 27 日

ROHM推出100V耐壓功率MOSFET「RY7P250BM」　適用於AI伺服器及工業設備電源

半導體製造商ROHM推出100V耐壓的功率MOSFET「RY7P250BM」，該產品適用於AI伺服器48V電源熱插拔電路，以及需要電池保護的工業設備電源等應用。 RY7P250BM為8×8mm尺寸的MOSFET，預計該尺寸產品未來需求將不斷成長，可以輕易替代現有產品。新產品同時實現了更寬的SOA耐受量範圍(條件：VDS=48V、Pw＝1ms/10ms)和更低導通電阻，既可確保熱插拔工作時的更高可靠性，亦能最佳化電源效率，降低功耗並減少發熱量。特別是AI伺服器的熱插拔電路，比起傳統伺服器需要更寬的SOA耐受量範圍。RY7P250BM的SOA耐受量在脈寬10ms時可達16A、1ms時可達50A，能夠對應過去MOSFET難以支援的高負載應用。...
2025 年 06 月 11 日

ROHM推出高耐壓GaN HEMT驅動絕緣閘極驅動器IC「BM6GD11BFJ-LB」

半導體製造商ROHM推出一款適用於600V高耐壓GaN HEMT驅動的絕緣閘極驅動器IC「BM6GD11BFJ-LB」。透過與本產品組合使用，可使GaN元件在高頻、高速開關過程中實現更穩定的驅動，有助於馬達和伺服器電源等大電流應用進一步縮減體積並提高效率。...
2025 年 05 月 27 日
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