ROHM推出100V耐壓功率MOSFET「RY7P250BM」　適用於AI伺服器及工業設備電源

半導體製造商ROHM推出100V耐壓的功率MOSFET「RY7P250BM」，該產品適用於AI伺服器48V電源熱插拔電路，以及需要電池保護的工業設備電源等應用。 RY7P250BM為8×8mm尺寸的MOSFET，預計該尺寸產品未來需求將不斷成長，可以輕易替代現有產品。新產品同時實現了更寬的SOA耐受量範圍(條件：VDS=48V、Pw＝1ms/10ms)和更低導通電阻，既可確保熱插拔工作時的更高可靠性，亦能最佳化電源效率，降低功耗並減少發熱量。特別是AI伺服器的熱插拔電路，比起傳統伺服器需要更寬的SOA耐受量範圍。RY7P250BM的SOA耐受量在脈寬10ms時可達16A、1ms時可達50A，能夠對應過去MOSFET難以支援的高負載應用。...
2025 年 06 月 11 日

ROHM推出高耐壓GaN HEMT驅動絕緣閘極驅動器IC「BM6GD11BFJ-LB」

半導體製造商ROHM推出一款適用於600V高耐壓GaN HEMT驅動的絕緣閘極驅動器IC「BM6GD11BFJ-LB」。透過與本產品組合使用，可使GaN元件在高頻、高速開關過程中實現更穩定的驅動，有助於馬達和伺服器電源等大電流應用進一步縮減體積並提高效率。...
2025 年 05 月 27 日

ROHM推出超小型30V共源Nch MOSFET「AW2K21」　導通電阻達業界頂級水準

半導體製造商ROHM推出30V耐壓共源Nch MOSFET新產品「AW2K21」，封裝尺寸僅為2.0mm×2.0mm，導通電阻低至2.0mΩ，達到業界頂級水準。 新產品採用ROHM獨家結構，不僅提高元件集約度，更降低單位晶片面積的導通電阻。透過在單一元件中內建雙MOSFET結構的設計，僅1顆新產品即可滿足雙向供電電路所需的雙向保護需求。新產品中的ROHM獨家結構能夠將通常垂直溝槽MOS結構中，位於背面的汲極引腳置於元件表面，並採用了WLCSP封裝。WLCSP能夠增加元件內部晶片面積的比例，並降低新產品的單位面積導通電阻。導通電阻的降低不僅減少了功率損耗，更有助支援大電流，使新產品能夠以超小體積支援大功率快速充電。...
2025 年 05 月 16 日

內建ROHM新型2kV SiC MOSFETs的Semikron Danfoss模組 被SMA太陽能系統採用

全球的太陽能發電及儲能系統技術供應商SMA Solar Technology AG在其新產品「Sunny Central FLEX」中，採用了內建ROHM新型2kV SiC MOSFETs的Semikron...
2025 年 05 月 12 日

ROHM推出HSDIP20 SiC模組 助力電動車充電器小型化與高效能

半導體製造商ROHM推出4in1及6in1結構的SiC塑封型模組「HSDIP20」。該系列產品適用於電動車車載充電器(OBC)的PFC和LLC轉換器等應用。HSDIP20的產品陣容包括750V耐壓的6款機型和1200V耐壓的7款機型。透過將各種大功率應用的電路所需的基本電路匯集到小型模組封裝中，可有效減少客戶端的設計工時，並有助於實現OBC等應用中電力變換電路的小型化。...
2025 年 04 月 25 日

ROHM將參加2025德國PCIM展會　展示電力電子創新技術

半導體製造商ROHM將於2025年5月6日至8日參加在德國紐倫堡舉辦的PCIM(PCIM Expo & Conference)展會暨研討會。該展會是電力電子、智慧移動、可再生能源及能源管理領域的國際盛會。ROHM將在9號館304攤位展示與知名合作夥伴的開發專案、相關產品封裝設計與評估板的技術成果。...
2025 年 04 月 23 日

ROHM推出高精度車規電流檢測放大器BD1423xFVJ-C和BD1422xG-C

羅姆(ROHM)宣布推出符合車規標準AEC-Q100的高精度電流檢測放大器BD1423xFVJ-C和BD1422xG-C。採用TSSOP-B8J封裝的BD1423xFVJ-C可支援+80V輸入電壓，適用於48V電源驅動的DC-DC轉換器、冗餘電源、輔助電池及電動壓縮機等高電壓環境。採用小型SSOP6封裝的BD1422xG-C則支援+40V的輸入電壓，適用於車身和驅動控制單元中5V/12V驅動的電源網路的電流監測和保護等需要節省空間設計的車載設備。...
2025 年 04 月 18 日

羅姆SiC元件助力COSEL推出高效3.5kW三相AC-DC電源系列

半導體製造商羅姆(ROHM)生產的EcoSiC產品SiC MOSFET和SiC蕭特基二極體，已獲得日本先進電源製造商COSEL採用。其三相電源3.5kW輸出AC-DC電源單元中的HFA和HCA系列，均搭載了ROHM的SiC...
2025 年 04 月 10 日

馬自達與ROHM聯合開發氮化鎵功率半導體車載元件

馬自達與ROHM開始聯合開發採用次世代半導體技術—氮化鎵(GaN)功率半導體的車載元件。馬自達與ROHM自2022年起，在「電驅動單元的開發與生產合作體系」中，一直在推進搭載碳化矽(SiC)功率半導體的逆變器聯合開發。此次雙方再著手開發採用GaN功率半導體的車載相關元件，為次世代電動車打造出創新型的車載元件產品。...
2025 年 03 月 28 日

ROHM推出小型頂部發光型NIR LED　適用於VR/AR及感測器應用

半導體製造商ROHM推出小型頂部發光型表面安裝近紅外(NIR) LED新產品，適用於虛擬實境/擴增實境(VR/AR)設備、工業光學感測器及人體感應感測器等應用。 隨著VR/AR設備和生物感測設備的需求增加，對近紅外技術的精度要求也隨之提高。小型化、低功耗及設計靈活性成為重要考量。此外，隨著精密印表機控制和自動化系統的發展，近紅外LED的應用越來越重要。ROHM透過提供小型封裝和多樣波長的產品，提升設計靈活性，並擴大客戶選擇範圍，並對應更高的放射強度，以實現更高精度和更節能的應用產品。...
2025 年 03 月 25 日

ROHM推出高性能伺服器專用Nch功率MOSFET

半導體製造商ROHM針對企業級高性能伺服器和AI伺服器電源，推出實現頂級導通電阻和超寬SOA範圍的Nch功率MOSFET。新產品共計3款機型，包括適用於企業級高性能伺服器12V系統電源的AC-DC轉換電路二次側和熱插拔控制器電路的「RS7E200BG(30V)」，以及適用於AI伺服器48V系統電源的「RS7N200BH(80V)」和「RS7N160BH(80V)」。...
2025 年 03 月 14 日

ROHM EcoGaN導入Murata Power Solutions的AI伺服器電源

半導體製造商ROHM(總公司：日本京都市)的650V耐壓、TOLL封裝的EcoGaN產品GaN HEMT，被日本先進電子元件、電池和電源製造商村田製作所集團旗下Murata Power Solutions的AI(人工智慧)伺服器電源所採用。ROHM的GaN...
2025 年 03 月 11 日
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