半導體製造商ROHM成功開發出實現業界頂級額定功率的2012尺寸分流電阻(10mΩ～100mΩ)「UCR10C系列」產品。 在電流檢測領域，無論是車載市場還是工業設備市場，都要求分流電阻能夠對應大功率。此外，車載市場對高接合可靠性的需求以及工業設備市場對更高精度的需求也逐年增加。ROHM為滿足上述多樣化需求，一直致力於開發高度對應的分流電阻，為客戶提供出色的電流檢測解決方案。 新產品是利用燒結製程在氧化鋁基板上形成銅基電阻體所製作而成。透過最佳化散熱結構，與厚膜型和金屬板型的同等尺寸產品相比，額定功率高出1倍，達到1.0W和1.25W。不僅能滿足客戶替換長邊電極結構產品和更大尺寸產品的需求，亦可實現設備小型化並減少元件數量。 此外，透過採用金屬電阻體，新產品實現了低TCR(0...

半導體製造商ROHM推出一款創新型保護用蕭特基二極體「RBE01VYM6AFH」，該產品在低VF(正向電壓)和低IR(反向電流)兩者難以兼顧的特性之間實現了高度平衡，可為ADAS鏡頭等配備高畫質感光元件的應用提供高可靠性的保護解決方案。 近年來，隨著ADAS鏡頭等應用的精度提升，內部搭載的感光元件的高畫質程度越來越受到重視。這使得產品無法對電源關斷時，由感光元件產生的光生電壓進行充分控制，存在對應用產品造成損壞的風險。採用具有低VF特性的蕭特基二極體進行保護被認為是有效的方案。另一方面，為了防止運行時的熱失控，還需要具備低IR特性。然而，由於VF與IR之間難以兩全，如何兼顧這兩種特性一直是個挑戰。在此背景下，ROHM透過根本改善元件結構，成功開發出兼具低VF和低IR特性的蕭特基二極體，使其能夠勝任保護工作。 「RBE01VYM6AFH」是一款突破傳統思維的產品，將通常作為整流用途的蕭特基二極體的低VF特性運用在保護用途中。透過ROHM獨家技術打造的全新元件結構，同時實現了一般難以兼顧的低VF和低IR特性。新產品即使在嚴苛的環境條件下(VF：Ta=－40℃、IR：Ta=125℃)，仍能滿足市場對VF＜300mV(IF=7.5mA)和IR＜20mA(VR=3V)的特性要求。因此，新產品不僅能防止應用產品停止運作時高光生電壓導致的電路損壞，還能大幅降低運作過程中出現熱失控和誤動作的風險。 新產品的封裝採用小型扁平引腳SOD-323HE(2.5mm...

ROHM推出二合一結構的SiC模組「DOT-247」，該產品適用於PV Inverter、UPS和半導體繼電器等工業設備應用。新模組保留了「TO-247」在功率元件中的通用性，同時實現更高的設計靈活性和功率密度。 目前PV...

半導體製造商ROHM與德國汽車零件供應商Schaeffler宣布，作為戰略合作夥伴關係的重要里程碑，Schaeffler開始量產針對中國大型汽車製造商所設計、搭載ROHM SiC(碳化矽)MOSFET裸晶片的新型高壓Inverter...

半導體製造商ROHM針對汽車照明、汽車門鎖、電動車窗等逐步採用Zone ECU的車身相關應用，推出6款不同導通電阻的高側IPD(智慧功率元件)「BV1HBxxx系列」，適合保護系統免於功率輸入過大等影響。全系列產品均符合AEC-Q100車規標準，滿足車載產品的可靠性要求。 隨著自動駕駛和電動車(EV)的發展，汽車的電子控制越趨複雜，電子保護的重要性日益凸顯。Zone...

半導體製造商ROHM推出工作時的電路電流可控制在業界最低水準的超小型CMOS運算放大器「TLR1901GXZ」。該產品適用於電池或充電電池驅動的攜帶式測量儀器、穿戴式設備和室內探測器等小型應用中的測量放大器。 隨著攜帶式測量儀器和穿戴式設備等由電池驅動的應用對控制精度要求不斷提高，運用於量化溫度、濕度、振動、壓力、流量等參數的感測器，以及用來放大感測器訊號的運算放大器也日趨重要。在致力實現永續發展社會的背景下，應用產品的小型化和節能化已成為當務之急。ROHM透過進一步最佳化多年來累積的製程技術、封裝技術和Nano...

半導體製造商ROHM推出新的參考設計「REF67004」，該設計可透過單個微控制器控制廣泛應用於消費性電子和工業設備電源的兩種轉換器—電流臨界模式PFC(Power Factor Correction)和準諧振返馳式轉換器。透過將ROHM的優勢—由Si...

搭載半導體製造商ROHM第4代SiC MOSFET裸晶片的功率模組，已導入TOYOTA針對中國市場的全新跨界電動車「bZ5」的牽引逆變器。「bZ5」作為TOYOTA與BYD TOYOTA EV TECHNOLOGY、以及一汽豐田汽車有限公司聯合開發的跨界電動車，由一汽豐田於2025年6月正式發售。 本次導入的功率模組由ROHM與正海集團合資公司—上海海姆希科半導體有限公司進行量產供貨，其中，以SiC...

半導體製造商ROHM與車規晶片企業芯馳科技，針對智慧座艙聯合開發參考設計「REF68003」。該參考設計主要包含芯馳科技的智慧座艙SoC「X9SP」產品，並配備了ROHM的PMIC產品，展示於2025年上海車展芯馳科技攤位。 芯馳科技的X9系列產品涵蓋儀表板、IVI、座艙控制、駕停一體等應用場景，並已完成百萬片出貨，具備豐富的量產經驗。根據蓋世汽車研究院的資料，2025年1至3月在人民幣10萬元以上的車型中，芯馳科技的X9系列座艙晶片裝機量位居本土品牌第一名，涵蓋多家車企的主流和出口車型。 芯馳科技與ROHM於2019年開始技術交流，並致力於智慧駕駛艙的應用開發。2022年雙方簽署了車載領域的技術開發合作協定，並共同開發了針對智慧駕駛艙的參考設計。 2025年，芯馳科技與ROHM再度聯合開發基於車載SoC「X9SP」的新參考設計「REF68003」。ROHM提供的PMIC符合ISO...

半導體製造商ROHM推出100V耐壓的功率MOSFET「RY7P250BM」，該產品適用於AI伺服器48V電源熱插拔電路，以及需要電池保護的工業設備電源等應用。 RY7P250BM為8×8mm尺寸的MOSFET，預計該尺寸產品未來需求將不斷成長，可以輕易替代現有產品。新產品同時實現了更寬的SOA耐受量範圍(條件：VDS=48V、Pw＝1ms/10ms)和更低導通電阻，既可確保熱插拔工作時的更高可靠性，亦能最佳化電源效率，降低功耗並減少發熱量。特別是AI伺服器的熱插拔電路，比起傳統伺服器需要更寬的SOA耐受量範圍。RY7P250BM的SOA耐受量在脈寬10ms時可達16A、1ms時可達50A，能夠對應過去MOSFET難以支援的高負載應用。 RY7P250BM的導通電阻降低了約18%，僅有1.86mΩ(條件：VGS=10V、ID=50A、Tj=25℃)，因此有助於提升伺服器電源效率、減輕冷卻負擔並降低電力成本。此外，RY7P250BM已獲得全球知名雲端平台的認證推薦，預計未來將在AI伺服器領域得到更廣泛的應用。 新產品已經暫以每月100萬個的規模投入量產(樣品價格800日元/個，未稅)。前段製程的生產據點為ROHM...

半導體製造商ROHM推出一款適用於600V高耐壓GaN HEMT驅動的絕緣閘極驅動器IC「BM6GD11BFJ-LB」。透過與本產品組合使用，可使GaN元件在高頻、高速開關過程中實現更穩定的驅動，有助於馬達和伺服器電源等大電流應用進一步縮減體積並提高效率。 新產品是ROHM首款針對高耐壓GaN...

半導體製造商ROHM推出30V耐壓共源Nch MOSFET新產品「AW2K21」，封裝尺寸僅為2.0mm×2.0mm，導通電阻低至2.0mΩ，達到業界頂級水準。 新產品採用ROHM獨家結構，不僅提高元件集約度，更降低單位晶片面積的導通電阻。透過在單一元件中內建雙MOSFET結構的設計，僅1顆新產品即可滿足雙向供電電路所需的雙向保護需求。新產品中的ROHM獨家結構能夠將通常垂直溝槽MOS結構中，位於背面的汲極引腳置於元件表面，並採用了WLCSP封裝。WLCSP能夠增加元件內部晶片面積的比例，並降低新產品的單位面積導通電阻。導通電阻的降低不僅減少了功率損耗，更有助支援大電流，使新產品能夠以超小體積支援大功率快速充電。 例如對小型設備的雙向供電電路進行比較後發現，使用市場競品時需要2顆3.3mm×3.3mm的產品，而使用新產品時僅需1顆2.0mm×2.0mm的產品，元件面積可減少約81%，導通電阻可降低約33%。即使與通常被認為導通電阻較低的同等尺寸GaN...