升級電源轉換效率 SiC MOSFET降低電磁損耗
超過1,000V電壓的應用通常使用IGBT解決方案。但如今碳化矽(SiC)元件性能卓越，能夠實現快速開關的單極元件，可取代雙極IGBT。這些SiC元件可以在較高的電壓下實施先前只能在較低電壓(<600V)下才可行的應用。與雙極IGBT相比，這些基於SiC的MOSFET可將功率損耗降低多達80%。SiC元件具有更高的系統效率和穩健性，以及更低的系統成本，適用於電信、伺服器、電動汽車充電站和電池組等應用。如果在基於矽的成熟MOSFET技術，和基於SiC的較新MOSFET之間進行選擇，需要考慮多種因素。
矽與SiC元件應用效率/功率密度比較
與矽元件相比，SiC元件的RDS(on)在工作溫度範圍內不易發生波動。使用基於SiC的MOSFET，RDS(on)數值在25°C到100°C溫度之間僅僅偏移大約1.13倍，而使用典型的基於Si的MOSFET時，RDS(on)則會偏移1.67倍。這顯示了針對基於SiC的MOSFET元件，工作溫度對功率損耗的影響要小得多，因而可以採用高得多的工作溫度。因此，基於SiC的MOSFET非常適合高溫應用，或者可以使用較簡單的冷卻解決方案來實現相同的效率水準。
當650V...
2022 年 09 月 04 日
