根據Yole Group近期發表的《Power SiC 2025 – 前端製造設備》研究報告指出，在2019年至2024年間的前所未有投資潮之後，功率碳化矽產業現在正進入一個修正周期。汽車市場的放緩減少了對碳化矽(SiC)的需求，改變了供應鏈。利用率下降、過剩產能和減少投資的循環引起了產業的擔憂。然而，儘管市場放緩，碳化矽仍然是電氣化路線圖的核心，預計到2030年，設備收入將接近100億美元。   功率碳化矽產業的第一次主要投資週期，由2019至2024年的資本支出繁榮推動，造成了上游的顯著過剩產能。到2025年，上游流程的利用率已降至約50%，設備生產線的利用率則降至70%。這一下滑趨勢預計將持續到2027至2028年，屆時8英寸生產平台和下一代溝槽及超接合MOSFET將帶來新的增長。   區域動態：中國快速崛起 新的設備資本支出大部分集中在中國，當地政府的策略鼓勵本地採購設備。到2024年，中國廠商已經占據了約40%的SiC晶圓和外延晶圓產能，並迅速擴展到元件製造領域。儘管設備生態系統尚未完全自給自足，但國內供應商在PVT和HTCVD設備領域已取得顯著進展。   Yole...

電動車高功率充電800V甚至1500V架構，已成為解決充電焦慮問題的重要解方。雙向充電及兆瓦級充電MCS需求崛起，充電設備正朝高效率、高功率密度、模組化與高可靠性邁進。 全球電動車市場的發展瓶頸已從「里程焦慮」轉向更為棘手的「充電焦慮」。為徹底解決此痛點，歐、美、中各國正透過政策強力驅動高功率充電基礎設施的加速布建，一場圍繞著350kW、800V，乃至MW級超充(Megawatt...

英飛凌宣布為NVIDIA針對人工智慧(AI)基礎設施推出的800V直流電源架構提供支援。隨著AI的快速增長，現有的54V資料中心電源基礎設施已逐漸難以滿足需求。集中式800V直流架構將能降低功耗、提升效率並增強可靠性，但這種新架構需要新的功率轉換解決方案與安全機制，以防範潛在風險並避免因服務或維護等原因導致的高昂的伺服器停機成本。 英飛凌電源與感測系統事業部總裁Adam...

全球電子通路廠商安富利(Avnet)日前舉辦「2025智慧移動論壇」，聚焦AI、自動駕駛與電動化新世代。從2026年到2030年，智慧移動產業將迎接五大關鍵轉折：AI驅動汽車、次世代電力技術、邊緣人工智慧、供應鏈韌性與智慧基礎設施整合。而這不僅是技術升級，更是一場從硬體導向進化到軟體定義的革命。 AI驅動智慧汽車：從自動駕駛到預測維護 安富利台灣應用工程總監張嘉源指出，AI讓車子不只是會開，還會自己照顧自己。如今Level...

半導體製造商ROHM發表了針對次世代800 VDC架構的AI資料中心用先進電源解決方案白皮書。 本白皮書基於2025年6月發布的合作新聞稿內容，詳細闡述了ROHM為AI基礎設施適用的800 VDC供電系統提供的最佳電源解決方案。 800...

台灣專業碳化矽(SiC)長晶技術廠商格棋化合物半導體，將於SEMICON Taiwan 2025展出最新的大尺寸SiC材料解決方案，聚焦晶體缺陷密度與結構完整性的突破，以回應業界對高可靠度、高一致性SiC晶圓日益升高的需求。本次將展示格棋最新製造成果，包括原始粉體、8吋導電與半絕緣晶棒與晶圓，體現其從原料到晶圓的垂直整合能力，亦為SiC材料應用從實驗走向量產的關鍵里程碑。 隨著電動車、高頻通訊與衛星應用的擴張，8吋SiC晶圓成為新一代功率元件的材料核心。然而，「尺寸放大」本身並非技術終點，更嚴峻的挑戰是晶體缺陷控制。格棋針對常見的微管、堆疊錯位、基底位錯等問題，已建構出一套跨越熱場設計、碳比控制、雜質抑制到結晶動態調控的製程策略，有效將缺陷密度壓低至10²/cm²以下，大幅提升晶圓可用率與客戶加工良率。 此次展出的五項實體成果，涵蓋高純度粉體、8吋半絕緣與導電型晶棒及晶圓，展現格棋可從原料端控制碳矽比例與熱流均勻性，進而降低晶體內部壓力與多晶型生成率。不論是用於雷達與微波通訊的高頻元件，或車用主驅動模組與能源逆變器，格棋均能提供可驗證、可交付的材料方案，協助客戶更快進入新產品認證流程。 在全球8吋SiC晶圓仍多停留於實驗產線階段之際，格棋已具備6吋SiC晶圓穩定量產能力，並完成8吋晶棒與晶圓的製程實證，成為台灣少數真正跨越技術門檻的新創。透過整合日本與台灣長晶模組技術，格棋建立了一套高重現性製程平台，確保晶體成長過程中的結構穩定性與應力釋放曲線。 值得注意的是，格棋在8吋導電型晶圓的成長穩定性已逐步接近試量產標準，將可支援車用功率模組、工業電源與儲能系統的高壓高流需求。另一方面，8吋半絕緣型晶圓則聚焦於雷達、射頻與航太通訊等具備訊號精度與散熱挑戰的高階應用場景，是目前市場最難取得的高附加價值材料之一。 此次展會另一大亮點，為格棋業務處長吳義章博士榮獲SEMI...

在AI資料中心、5G/6G、電動車與再生能源等高科技應用推動下，產業對高能效與高電壓架構的需求持續攀升，寬能隙功率半導體如碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN)，正快速成為推動未來科技發展的關鍵核心。 這類元件具備高速、高耐壓、低耗能等特性，成為替代傳統矽元件的最佳設計選擇，帶動電力電子技術的革新。然而，在實際導入產品設計與量產時，開發者仍面臨驅動設計、封裝散熱、EMI干擾與可靠度驗證等技術挑戰，亟需更深入的技術交流與產業合作。 TI高整合GaN設計迎接AI新時代 在人工智慧(AI)與資料中心需求爆炸性成長的推動下，電源需求水漲船高，從NVIDIA、Google到Microsoft，全球科技大廠對AI算力的追求，直接驅動資料中心電源系統的快速升級，如何在更小的空間內提供更高的功率，並滿足日益嚴苛的能效法規，已成為科技界面臨的關鍵課題。 諸如模組化共用備援電源供應器(Modular...

安森美宣布與輝達合作，共同推動向800伏特直流(VDC)供電架構轉型。這一變革性解決方案將推動下一代人工智慧(AI)資料中心在能效、密度及永續性方面實現顯著提升。 新型配電系統是這變革的核心——它必須...

Microchip與台達電子簽署策略合作協議，雙方將攜手於台達電子設計中導入Microchip的mSiC產品與技術。透過合作，期望加速創新SiC解決方案與節能產品及系統的開發，共同實現更永續的未來。 Microchip高功率解決方案事業部副總裁Clayton...

根據TrendForce最新研究，2024年汽車、工業需求走弱，SiC基板出貨量成長放緩，與此同時，市場競爭加劇，產品價格大幅下跌，導致2024年全球N-type SiC基板產業營收年減9%，為10....

電動車技術的快速發展，800V電力系統逐漸成為主流，甚至還有大廠開出1200V的氮化鎵(GaN)功率晶片規格。隨著電壓與功率的提升，產品可靠度的挑戰也隨之增加。日益嚴格的驗證標準，如何滿足？繁雜的國際規範，又該如何掌握？是否有適用於高電壓高功率產品的完整驗證解決方案？ 近期的市場趨勢顯示，燃油車、純電動車(BEV)與混合動力車(HEV)將在未來形成三分天下的局面，打破過去認為純電動車將全面取代燃油車的觀點。在技術方面，電動車正朝向更高電壓、高功率的方向發展，電力系統從400V升級至800V的趨勢日益明顯，甚至還有大廠開出1200V的氮化鎵GaN功率晶片規格。這種技術提升有助於降低電流、減輕車重，以提升電動車的續航里程。 在這樣的產業背景下，脫穎而出的WBG(Wide...

在電動車的帶動下，原本只有少數測試儀器跟大型電力電子設備會用到的碳化矽(SiC)元件，成為市場矚目的焦點。然成也蕭何、敗也蕭何，在中國低價電動車席捲市場，加上中國政府大力補貼自家碳化矽晶片產業的情況下，目前碳化矽晶片產業的競爭非常激烈，特別是鎖定電動車相關應用的碳化矽晶片方案。 在這個背景下，以碳化矽作為創業題材的新創公司，該如何應對？碳矽電子創辦人李坤彥認為，自己的競爭優勢跟生存利基在哪裡，將是台灣碳化矽晶片供應商必須思考的課題。 電動車市場出現亂流　探索其他應用成關鍵 李坤彥指出，從整體市場規模的角度來看，即便近期電動車應用出現不少雜音，碳化矽功率元件仍是一個持續成長的市場。因此，對供應商而言，這個產業還是有發展前景，只是需要找到對的經營策略跟產品布局。 碳矽電子創辦人李坤彥指出，面對聲勢浩大的紅色供應鏈，台灣的碳化矽產業需要找出自己的生存利基   在電動車興起後，碳化矽功率元件供應商基本上都把重心放在車用市場上，因為這個市場的規模夠大，也有足夠的成長性。但也因為供應商蜂擁搶進市場，加上中國同時對電動車與碳化矽這兩個產業進行大量補貼，使得電動車跟車用碳化矽元件市場快速變成紅海。如果要繼續走車用這條路，恐怕會異常辛苦。因此，對碳化矽供應商而言，產品跟應用布局多元化的重要性更勝以往。畢竟，要跟背後有國家資本挹注的中國同業在價格上正面對決，是非常困難的。 為因應中國供應商的價格競爭，目前碳矽採取兩種策略，一是針對客戶需求開發客製化方案，二是往3300V高壓跟650V低壓元件進行布局，特別是高壓。650V低壓元件的主力應用是消費性電源產品，像個人電腦的ATX電源、無人機的電源子系統，都是650V低壓碳化矽元件有機會發揮的領域。但這個應用市場跟氮化鎵(GaN)功率元件高度重疊，供應商仍需設法做出市場區隔。 3300V則是軌道運輸、再生能源等應用所需要的元件規格。其需求量雖然無法跟消費性產品、電動車相比，但其技術門檻高，而且這個領域的客戶往往需要更深度客製化的方案，因此對供應商而言，只要能成功打入供應鏈，客戶需求會很穩定。這也是目前碳矽選擇的方向–除了持續開發新元件，還要進一步提供整合好的模組，提高解決方案的客製化程度，幫客戶打造整體解決方案(Total...