提升設備輕載效率　電源設計手法大翻新

隨著雲端發展風潮興起，伺服器與終端裝置的節能要求已日益受到市場重視。因此，電源晶片與設備製造商已分別從材料、封裝、軟體及拓撲架構等層面著手，開發新一代解決方案，甚至開始改用數位式電源設計架構，以提高雲端設備在輕載時的電源轉換效率。
2012 年 05 月 07 日

鎖定1,200V高壓應用　SiC模組/二極體全速開跑

碳化矽(SiC)將大舉搶進1,200伏特(V)高壓應用市場。繼羅姆半導體(Rohm Semiconductor)在2012年3月發表全SiC功率模組，英飛凌(Infineon)亦將於第三季推出新一代SiC蕭特基二極體(Schottky...
2012 年 04 月 26 日

專訪吉時利市場行銷總監Mark A. Cejer　高功率半導體量測需求增溫

吉時利(Keithley)將以高壓電源電表積極進攻高功率半導體元件量測市場。繼2011年發布2651A系統電源電表後，吉時利再度於日前推出高功率電源電表--2657A，擴增電壓支援至3,000伏特(V)，同時將電流量測解析度微縮至1飛安培(fA)水準，全面搶進高電壓、大電流的功率半導體和電子元件量測市場。
2012 年 04 月 23 日

消耗多餘產能　LED業者跨足GaN功率元件製造

節能趨勢讓氮化鎵(GaN)功率元件日益受到市場關注，並吸引愈來愈多業者爭相投入。除既有的半導體業者外，LED製造商也已計畫將過剩的產能用於生產氮化鎵功率元件，以開闢新的獲利來源，將有助擴大氮化鎵功率元件市場滲透率。
2012 年 04 月 16 日

吉時利高壓系統電源電表儀器多功能上市

電子量測儀器和系統廠商吉時利儀器(Keithley)推出高功率系統電源電表儀器–2657A。該儀器的推出，為該公司高速、高精度電源量測單元2600A系列增加高電壓功能，這些完備的工具，讓客戶能進行更寬廣的功率半導體元件和材料的特性分析。 ...
2012 年 03 月 26 日

瑞薩電子碳化矽裝置較傳統矽功耗降低40%

瑞薩電子(Renesas Electronics)宣布開發採用碳化矽(SiC)之蕭特基阻障二極體(Schottky barrier diode, SBD)–RJS6005TDPP。碳化矽材料在功率半導體裝置領域具有相當大的發展潛力，新款SiC蕭特基阻障二極體適用於空調、通訊基地台及太陽能發電陣列等高輸出電子系統；亦整合由日立(Hitachi)與瑞薩電子共同研發的技術，相較於瑞薩電子採用傳統矽(Si)材料的現有功率裝置，可降低約40%的低功耗表現。 ...
2012 年 02 月 16 日

車廠展開垂直整合布局　電動車供應鏈結構劇變將臨

內燃機向來是汽車製造的關鍵技術，但隨著電動車(EV)及油電混合車(HEV)快速興起，電力電子的重要性已逐漸取而代之，成為眾所矚目的核心技術。因此，車廠開始投資發展半導體與電子技術，讓汽車元件製造商備受威脅，並牽動汽車產業供應鏈一連串的變化。
2012 年 01 月 16 日

瞄準PV/EV　晶片商布局寬能隙功率半導體

看準太陽能、電動車(EV)等高利潤利基型應用後勢潛力無窮，英飛凌(Infineon)、意法半導體(ST)、國際整流器(IR)、快捷(Fairchild)等半導體大廠已緊鑼密鼓地砸下重金展開藉由碳化矽(SiC)、矽基板氮化鎵(GaN-on-Si)寬能隙化合物半導體開發功率元件計畫，將使寬能隙功率半導體市場卡位戰提前開打。 ...
2011 年 07 月 27 日

下世代功率半導體競技賽開打　GaN/SiC爭搶主流寶座

基於GaN與SiC材料的新世代功率半導體技術之間的戰火，近期再度升溫，尤其在首款SiC功率半導體商品成功問世後，更讓SiC技術聲勢大漲；面對SiC技術急起直追，已推出低電壓功率產品的GaN陣營亦不甘示弱，正積極朝向更高電壓市場邁進。
2011 年 05 月 30 日

快捷半導體導入碳化矽技術開發創新產品

全球高性能電源和可攜式產品供應商快捷半導體(Fairchild Semiconductor)日前宣布收購碳化矽(SiC)功率電晶體企業TranSiC，以擴展其技術領先地位。此舉使其可在超廣溫度範圍下有出色性能，以及優於金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)和接面場效電晶體(JFET)技術卓越性能的雙極SiC電晶體技術。 ...
2011 年 04 月 28 日

商用進展邁大步　SiC功率半導體前景看俏

繼科銳(Cree)於今年1月中發表業界首款商用碳化矽(SiC)功率金屬氧化物半導體場效電晶體(Power MOSFET)後，快捷(Fairchild)日前也宣布收購TranSiC，正式跨入碳化矽功率半導體領域；此外，包爾英特(...
2011 年 04 月 26 日

矽電源晶片效能難突破　半導體大廠布局GaN

以矽(Si)為材料的電源晶片轉換效率已達臨界點，效能突破空間有限，再加上節能減碳意識抬頭，遂使氮化鎵(GaN)趁勢崛起，已為英飛凌(Infineon)、國際整流器(IR)、快捷(Fairchild)等半導體大廠積極部署的技術，然GaN囿於物理特性，目前較適合開發高電壓產品，國際整流器即預計於2011年底前發表新品。 ...
2011 年 04 月 04 日
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