imec達成High-NA EUV單次圖形化里程碑

比利時微電子研究中心(imec)在2025年國際光電工程學會(SPIE)光罩技術暨極紫外光微影會議上,發表了兩項有關單次壓印極紫外光(EUV)微影的突破性進展,分別是間距為20奈米的導線圖形,包含與鑲嵌金屬化製程相關的13奈米圖形端到端(T2T)關鍵尺寸(CD),以及在20奈米間距下,利用直接金屬蝕刻(Direct...
2025 年 09 月 30 日

應材拓展埃米時代晶片製造圖案化解決方案

應用材料公司於國際光電工程學會(SPIE)先進微影暨圖案化技術研討會上推出一系列為滿足「埃米時代」晶片圖案化需求的產品和解決方案。隨著製程推進至2奈米以下,晶片製造商愈來愈受惠於新材料工程和量測技術,進而克服EUV和高數值孔徑EUV圖案化的挑戰,包括線邊緣粗糙度、頂端對頂端的間隙(Tip-to-tip...
2024 年 03 月 01 日

imec高光譜成像鎖定腫瘤活體細胞偵測

由國際光電工程學會(SPIE)舉辦的美西光電展(Photonics West)於近日展開,比利時微電子研究中心(imec)在生醫光學與生醫光電(BiOS)展區提出了活體偵測低級神經膠質細胞(LGG)的醫療影像分析解決方案,有望早期發現生長速度較慢的腦瘤。這項創新技術整合了imec開發的SNAPSCAN...
2023 年 02 月 02 日