意法半導體宣布加速推動Physical AI系統的全球發展與應用，涵蓋人形機器人、工業機器人、服務型機器人及醫療機器人等領域。 ST正將其先進機器人相關的完整產品組合，納入NVIDIA Holoscan...

德州儀器推出全新隔離式電源模組，協助提升包括資料中心至電動車(EV)等應用中的功率密度、效率與安全性。UCC34141-Q1與UCC33420隔離式電源模組採用TI的IsoShield技術，這是一項具專有的多晶片封裝解決方案，可使隔離式電源設計中的模組功率密度相較離散式解決方案最多高出三倍。TI亦於3月23日至26日德州聖安東尼奧舉行的2026年應用電力電子研討會(APEC)中展示這些創新成果。 TI高壓產品業務副總裁暨總經理Kannan...

德州儀器發表一套完整的800V直流電源架構，專為基於NVIDIA 800V直流電源參考設計的下一代AI資料中心而設計。此解決方案將於2026年3月16日至19日於NVIDIA GTC展出。TI將展示其類比與嵌入式處理技術如何支援NVIDIA推動AI資料中心高電壓系統發展。 TI高壓電源業務副總裁暨總經理Kannan...

德州儀器推出兩款全新MCU系列，具備邊緣AI功能，體現了公司致力於在嵌入式處理產品組合中部署邊緣AI的承諾。MSPM0G5187與AM13Ex MCU整合了TI的TinyEngine神經處理單元(NPU)，這是一款專為MCU設計的硬體加速器，能最佳化深度學習推論運算，在實現邊緣處理的同時，有效降低延遲並提升能源效率。 TI的嵌入式處理產品組合擁有完整的開發工具支援，包含CCStudio整合式開發環境(IDE)。透過內建的生成式AI功能，工程師能以自然語言加速程式碼開發、系統配置與除錯；此功能結合了TI資料與業界標準模型及AI代理。整體而言，TI正加速推動邊緣AI於各類電子裝置中的應用，範圍涵蓋從穿戴式健康監測裝置、家用斷路器的即時監控，到人形機器人的實體AI。上述端對端創新解決方案，於3月10日至12日在embedded...

德州儀器宣布正與NVIDIA攜手加速人形機器人在真實世界中的安全部署。透過結合TI在即時馬達控制、感測、雷達與電源等技術，以及NVIDIA在先進機器人運算、基於乙太網路的感測與模擬技術，機器人開發者能夠更早、更準確地驗證感知、致動與安全。TI以確定性的控制、感測、電源與安全能力，將NVIDIA的實體AI運算直接連結至實際應用場景，涵蓋每一個關節與子系統。此合作將協助開發者更快速地從虛擬開發走向可量產、具擴展性並符合安全規範的系統。 在此合作中，TI透過NVIDIA...

美國當地時間2月4日，類比晶片及嵌入式處理器廠商德州儀器(TI)正式宣佈收購芯科科技(Silicon Labs)。根據雙方簽署的最終協議，德州儀器將以每股231.00美元的價格，溢價約五成，全現金收購Silicon...

隨著伺服器與人工智慧市場的快速成長，每組機櫃的能耗需求正從100kW攀升至超過1MW。此能耗增長迫使設計人員必須從根本上重新構想整個資料中心的供電路徑，從電網端直到處理器閘極。 雖然48V供電架構在數...

TI推出全新的設計資源和電源管理晶片，以協助企業滿足持續成長的人工智慧(AI)運算需求，並將電源管理架構從12V擴展到48V再到800 VDC。全新解決方案將於10月13日至16日在加州聖荷西舉行的開放運算計畫全球峰會(OCP)上展出，包括： 白皮書：「為迎接下一波AI運算成長的電力輸送取捨」：TI正與NVIDIA合作開發電源管理產品，以支援800...

TI推出平面內霍爾效應位置感測開關，為工程師提供比磁阻感測器更具成本效益且易於使用的替代方案。TMAG5134霍爾效應開關的高靈敏度能讓系統採用體積更小的磁鐵，進一步降低系統成本。此外，TMAG5134的平面內感測功能使其能偵測與印刷電路板平行或水平的磁場，為工程師提供更高的設計靈活性。 在設計低功耗、緊湊型位置感測設計中，工程師多依賴簧片開關或隧道磁阻(TMR)、異向性磁阻(AMR)及巨磁阻(GMR)感測器。然而，這些技術因需使用特殊材料與製程技術，往往伴隨高昂成本與製造的複雜性。相較之下，霍爾效應技術消除了特殊製程的需求，能協助工程師大幅降低設計成本，並加速產品上市。 過去因霍爾效應開關的靈敏度有限，設計師未將其視為TMR、AMR、GMR感測器或簧片開關的可行替代方案，而TMAG5134的推出，為位置感測市場帶來根本性的轉變，現在工程師可以實現比傳統霍爾效應感測器更高的靈敏度，且無需承擔磁阻感測器額外的成本與複雜性。 TI感測產品部副總裁暨總經理Jason...

人形機器人整合了許多子系統，其中包括伺服控制系統，電池管理系統 (BMS) ，感測器系統， AI 系統控制等。將這些系統整合至人員體積中，同時維持複雜系統的平穩運作，要符合尺寸與散熱需求是極富挑戰性的。人形機器人中空間最受限的子系統是伺服控制系統。為了達到與人類類似的運動範圍，機器人中通常部署了約...

TI宣布推出新型功能隔離式調變器，協助設計人員在精巧的機器人設計中達到更精準的馬達控制。新型AMC0106M05、AMC0136和AMC0106M25隔離式調變器可提供12到14有效位元(ENOB)的...

在生成式AI的帶動下，電源產業正在經歷一場翻天覆地的革命。從元件所使用的材料到測試/驗證，甚至供電網路的設計，許多新技術、新概念正在快速發展。 被稱為「吃電怪獸」的生成式AI，為電源供應器產業帶來巨大的商機及挑戰。為滿足AI資料中心對電源效率與功率密度的要求，電源產業必須一改過去保守穩健的作風，大膽擁抱新技術。不管是採用碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬能隙元件，或是改變電源設計架構，甚至將負載點(POL)電源與處理器共同封裝，都是很好的例子。 東芝跨足GaN　2026年布局到位 東芝(Toshiba)電子工程部經理上新原崇(圖1)指出，矽、碳化矽(SiC)和氮化鎵(GaN)這三種半導體材料都可以用來製作功率元件，但各自有不同的應用場景。矽元件最為成熟，但在需要高額定電壓與高頻操作的應用方面，存在許多先天局限，SiC能在高電壓與相對高開關頻率的條件下操作，GaN則最適合用在高開關頻率的應用。 圖1　東芝(Toshiba)電子工程部經理上新原崇透露，針對伺服器電源，東芝將同時推出碳化矽與氮化鎵解決方案。   因此，針對SiC元件，東芝鎖定的應用市場是高電壓和高電流應用，如風能、鐵路、太陽能等，而氮化鎵元件則適合於伺服器和電信設備的電源供應器、各種消費性應用及光達(LiDAR)的電源供應。 不過，隨著伺服器的功率需求持續上升，在伺服器電源應用領域，SiC跟GaN都有應用的機會。例如在伺服器電源的功率因素校正(PFC)與一次側，東芝除了提供SiC蕭特基二極體(SBD)跟SiC...