Transphorm與偉詮電子(Weltrend Semiconductor Inc.)宣布推出兩款新型系統級封裝氮化鎵元件(SiP)，與去年推出的偉詮電子旗艦氮化鎵SiP一起，組成首個基於Transphorm...

Transphorm宣布推出兩款採用4引腳TO-247封裝(TO-247-4L)的新型SuperGaN元件。新發布的TP65H035G4YS和TP65H050G4YS FET元件分別具有35毫歐和50毫歐的導通電阻，並配有一個開爾文源極端子，以更低的能量損耗為客戶實現更全面的開關功能。 新產品將採用Transphorm成熟的矽襯底氮化鎵製程，可靠性高且具有良好的成本效益，適合現有矽基生產線量產。目前，50毫歐TP65H050G4YS...

Transphorm與偉詮電子(Weltrend)宣布合作推出100瓦USB-C PD電源適配器參考設計。該參考設計電路採用兩家公司合作開發的系統級封裝(SiP)SuperGaN電源控制晶片WT7162RHUG24A，在准諧振反激式(QRF)拓撲中可實現92.2%的效率。 該參考設計是偉詮電子推出的第二款使用WT7162RHUG24A的QRF拓撲USB-C...

Transphorm宣布推出兩款面向電動車充電應用的參考設計。300W和600W恆流/恆壓(CC/CV)電池充電器採用Transphorm的70毫歐和150毫歐SuperGaN元件，以極具競爭力的成本實現高效的AC-DC功率轉換和高功率密度。這兩款參考設計旨在幫助兩輪和三輪電動車充電器快速實現量產。 據悉，印度和中國的兩輪和三輪電動車年銷量分別超過1,400萬輛和4,500萬輛。另外，這兩款參考設計還可用於各種其它應用，包括快充、LED可調光驅動器、遊戲機和高性能筆記型電腦。 Transphorm全球銷售和FAE副總裁Tushar...

Transphorm宣布與為運動控制和節能系統提供電源及感測半導體技術的Allegro MicroSystems合作，使用Transphorm 的 SuperGaN場效應電晶體和Allegro的AHV85110隔離式柵極驅動器，針對大功率應用擴展氮化鎵電源系統設計。 Transphorm的SuperGaN...

Transphorm近日宣布，推出三款TOLL封裝的SuperGaN FET，導通電阻分別為35、50和72毫歐。Transphorm的TOLL封裝配置採用產業標準，這表示TOLL封裝的SuperGaN功率管可作為任何使用e-mode...

氮化鎵功率半導體元件毫無疑問是目前電力電子領域中非常火熱的一個話題。當今占主導有兩種電晶體類型：常關(Normally-off)耗盡型(D-mode)和常關增強型(E-mode)氮化鎵電晶體。當人們面臨選擇時，有時會難以言明地傾向于使用E-mode電晶體。而事實上，常關D-mode在性能、可靠性、多樣性、可製造性以及實際用途方面，都是本質上更優越的平台。這之中的原因在於常關D-mode能充分利用氮化鎵本身優勢。 氮化鎵中的大自然饋贈 二維電子氣(2DEG)氮化鎵電晶體的成功，很大程度上歸功於一個關鍵的自然現象：2DEG溝道。2DEG是在GaN和AlGaN薄層界面處自發形成極其快速的導電通道。其自發存在的電子濃度，...

氮化鎵功率半導體元件毫無疑問是目前電力電子領域中非常火熱的一個話題。當今占主導有兩種電晶體類型：常關(Normally-off)耗盡型(D-mode)和常關增強型(E-mode)氮化鎵電晶體。當人們面臨選擇時，有時會難以言明地傾向于使用E-mode電晶體。而事實上，常關D-mode在性能、可靠性、多樣性、可製造性以及實際用途方面，都是本質上更優越的平台。這之中的原因在於常關D-mode能充分利用氮化鎵本身優勢。 E-mode引發的骨牌效應 上述常關E-mode方案是有代價的，例如失去柵極隔離等。用p-GaN代替柵極電介質，會導致柵極不再被隔離。這在正向偏壓下會產生較高的柵極電流，進而嚴重限制了常關E-mode元件的最大柵極電壓額定值。 為減少較大柵極電流，可以把柵極從歐姆金屬接觸改為肖特基勢壘(圖3b)。但是肖特基勢壘又帶來了另一個挑戰，因為它會阻礙導通瞬態期間，柵漏電容的放電，引發有害的「動態閾值電壓」現象，從而導致動態導通電阻的問題。 如圖4所示。若干個研究小組都報告了這個問題。在480V電壓下，常關E-mode元件的動態導通電阻RDS(ON)增加了27%，而常關D-mode元件僅增加了5%，因此減少了導通損耗。圖4裡的常關E-mode資料也得到了其他一些獨立研究結果的支持。由於電容放電困難，常關E-mode元件的閾值電壓在開關過程中並不穩定。與常關D-mode元件相比，這會導致更高的功率損耗。這可能就是常關E-mode...

氮化鎵功率半導體元件毫無疑問是目前電力電子領域中非常火熱的一個話題。當今占主導有兩種電晶體類型：常關(Normally-off)耗盡型(D-mode)和常關增強型(E-mode)氮化鎵電晶體。當人們面臨選擇時，有時會難以言明地傾向于使用E-mode電晶體。而事實上，常關D-mode在性能、可靠性、多樣性、可製造性以及實際用途方面，都是本質上更優越的平台。這之中的原因在於常關D-mode能充分利用氮化鎵本身優勢。 破除氮化鎵元件三大迷思 目前業界對於氮化鎵元件存在三大迷思，本文也將一併解釋。 ・迷思一：矽MOSFET會增加導通電阻和反向恢復電荷 現實：在氮化鎵Normally-off...

Transphorm發布了題為「Normally-off D-Mode 氮化鎵電晶體的根本優勢」的最新白皮書。該技術文獻科普了共源共柵(常閉)d-mode氮化鎵平台固有的優勢。重要的是，該文章還解釋了e-mode平台為實現常閉型解決方案，從根本上(實體層面)削弱了諸多氮化鎵自身的性能優勢。 白皮書介紹了normally-off...

Transphorm宣布，DAH Solar的世界首個整合型光伏(PV)系統採用了Transphorm氮化鎵平台，DAH Solar是安徽大恒新能源技術公司的子公司。該整合型光伏系統已應用在大恒能源的最新SolarUnit...

Transphorm宣布利用該公司的一項專利技術，在氮化鎵功率晶體管上實現了5微秒的短路耐受時間(SCWT)。這是同類產品有記錄以來首次達到的成就，證明Transphorm的氮化鎵元件能夠滿足伺服電機、工業電機和汽車動力傳動系統等傳統上由矽IGBT或碳化矽(SiC)MOSFET提供支援的堅固型功率逆變器所需的抗短路能力。氮化鎵在這類應用領域未來五年的潛在市場規模(TAM)超過30億美元。 與現有解決方案相比，氮化鎵可以實現更高的效率和更小的尺寸，也讓氮化鎵成為伺服系統應用中極具吸引力的功率轉換技術，為此，氮化鎵必須通過該領域要求的嚴格的穩健性測試，其中最具挑戰性的是需要承受住短路沖擊，當發生短路故障時，元件必須在大電流和高電壓並存的極端條件下正常運行。系統檢測到故障並停止操作有時可長達幾微秒時間，在此期間，元件必須能承受故障帶來的沖擊。 此項目的開發得到了安川電機公司的支持。安川電機公司技術部基礎研發管理部經理Motoshige...