TEM分析穩固GaN元件功能 掌握差排晶體缺陷(1)

作者: 鮑忠興
2024 年 02 月 02 日
對比前兩大類半導體材料,第三類半導體氮化鎵因製程原料關係,易產生大量的差排缺陷,而差排的密度和種類,又是影響元件功能的一大要素。如何解析差排類型,並將差排的密度控制在一定範圍,是第三類半導體發展的重要關鍵。...
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