TEM分析穩固GaN元件功能 掌握差排晶體缺陷(2)

作者: 鮑忠興
2024 年 02 月 02 日
對比前兩大類半導體材料,第三類半導體氮化鎵因製程原料關係,易產生大量的差排缺陷,而差排的密度和種類,又是影響元件功能的一大要素。如何解析差排類型,並將差排的密度控制在一定範圍,是第三類半導體發展的重要關鍵。...
》想看更多內容?快來【免費加入會員】【登入會員】,享受更多閱讀文章的權限喔!
標籤
相關文章

TEM分析穩固GaN元件功能 掌握差排晶體缺陷(1)

2024 年 02 月 02 日

發掘製程可疑缺陷 IC切片把關樣品功能性測試

2022 年 09 月 26 日

精準揪出製程缺陷 奈米電性量測明察秋毫

2023 年 01 月 26 日

堆疊式CIS故障分析 多管齊下解決CIS異常

2023 年 03 月 16 日

EDS分析應考量輕元素吸收效應 碳/氮/氧低能量X光易被吸收(1)

2024 年 09 月 13 日

EDS分析應考量輕元素吸收效應 碳/氮/氧低能量X光易被吸收(2)

2024 年 09 月 13 日
前一篇
半導體淨零落後客戶20年 產業鏈全力拚進度
下一篇
TEM分析穩固GaN元件功能 掌握差排晶體缺陷(1)