隨著再生能源、電動車越來越普及，市場對高效率的電能使用與管理需求不斷攀升，帶動氮化鎵(GaN)、碳化矽(SiC)等寬能隙半導體技術高速發展，同時儲能解決方案也日益受到關注，尤其是電池儲能系統(BESS)。以氮化鎵功率半導體為例，其可實現許多利用傳統矽材料無法達成的應用，且成本十分具有競爭力，現今已在快速充電應用領域大量被導入設計；未來，在電動車與資料中心等工業應用領域發展也備受期待。
本次線上研討會，來自Power Integrations與Littelfuse的技術專家，將分別就GaN與BESS設計進行深入剖析，幫助與會人士運用新一代寬能隙元件與保護方案，打造更高效率的電力電子產品。
●活動名稱：6/28 寬能隙元件與高效電源設計
●主題：借力高功率GaN元件 實現更快的240W充電功率
●主講人：Power Integrations / 產品技術應用工程師 / 蔡昇洋
