在電氣化、ESG兩大產業趨勢催化下，全球功率半導體市場需求持續走強，這也激勵相關產品與技術不斷推陳出新，以滿足日益嚴苛的節能規範與市場要求。
以氮化鎵(GaN)和碳化矽(SiC)為主的寬能隙(Wideband Gap)功率半導體技術，由於能實現比矽材料更高切換效率與更低導通損耗，達到更高功率密度設計，因而備受市場青睞，成為業界因應淨零碳排趨勢的新興技術方案。儘管如此，矽功率元件仍是目前市場主流，實用性極佳，透過適當拓撲規劃與技術搭配，亦可實現性價比與能效兼備的電源設計。
●活動名稱：先進功率半導體技術與應用論壇
●主題：150V GaN HEMT特性與高頻高效應用趨勢【羅姆(ROHM)半導體 台灣技術中心經理 / 李昆芳】
