在能源效率與外觀尺寸要求日益嚴格的情況下，改以碳化矽(SiC)或氮化鎵(GaN)元件來實現大功率電源設備，已經是必然的發展趨勢。但由於這些寬能隙(WBG)元件的特性與業界已經十分熟悉的MOSFET、IGBT有相當明顯的差異，尤其是氮化鎵。
因此，對電源開發者而言，如何快速掌握這些寬能隙元件的特性，進而完成設計導入工作，是當前所面臨的最主要挑戰。此外，歷經過去幾年疫情的洗禮，業界對於供應鏈管理的重視度大增。若要在自家產品中採用寬能隙元件，相關供應鏈配套是否成熟，也會是應用開發者關注的焦點。
●活動名稱：寬能隙功率元件應用開發者論壇
●主題：模擬在GaN/SiC功率半導體應用設計中的運用及優勢：從性能到可靠度的全方位探討
●主講人：【安矽思科技資深工程師/郭宗男 博士】
●會後報導連結：
