全球電動車市場的發展瓶頸已從「里程焦慮」轉向更為棘手的「充電焦慮」。為徹底解決此痛點，歐、美、中各國正透過政策強力驅動高功率充電基礎設施的加速佈建，一場圍繞著350kW、800V，乃至MW級超充(MCS)的技術軍備競賽已然開打。這不僅是充電樁業者的藍海，更是台灣半導體與電源供應鏈切入車用市場的絕佳時機。這波浪潮的核心，是對高效、高功率密度電源轉換技術的極致追求。無論是充電樁內的AC/DC與DC/DC功率級，或是車端的雙向車載充電器(Bi-directional OBC)，寬能隙(WBG)半導體的導入都已是必然。 SiC/GaN不僅帶來更高的系統效率，其高頻特性更推動磁性元件與被動元件的革新。與此同時，智慧電網催生的V2G(Vehicle-to-Grid)應用，更為充電設計帶來了通訊協定、雙向功率流與併網控制等全新挑戰。本次論壇將徹底解密高功率充電設計的每個環節，包括800V架構下的電源拓撲選擇、SiC/GaN導入技巧、散熱管理，並探討ISO 15118通訊協定與Plug & Charge的實務挑戰等等。
●活動名稱：新世代電動車充電暨充電樁設計解密論壇
●主題：矽到碳化矽: SiC於高功率充電設計中的導入關鍵與挑戰
●主講人：【英飛凌(Infineon) 林彥任 Principal Engineer 】
