高整合式GaN方案於高功率密度的應用—TI

隨著全球邁入高功率、高效率的電氣化時代,相關技術正快速演進。在AI資料中心、5G/6G、電動車與再生能源等高科技應用推動下,產業對高能效與高電壓架構的需求持續攀升,寬能隙功率半導體如SiC與GaN,正快速成為推動未來科技發展的關鍵核心。這類元件具備高速、高耐壓、低耗能等特性,成為替代傳統矽元件的最佳設計選擇,帶動電力電子技術的革新。然而,在實際導入產品設計與量產時,開發者仍面臨驅動設計、封裝散熱、EMI干擾與可靠度驗證等技術挑戰,亟需更深入的技術交流與產業合作。未來,唯有透過上下游協同創新與標準化推動,才能加速寬能隙技術的普及應用,開啟高效能電力系統的新時代。

●活動名稱:寬能隙半導體技術趨勢暨產業應用高峰論壇

●主題:高整合式GaN方案於高功率密度的應用

●主講人:【德州儀器 應用工程師 王俊昇 】 #TI #德州儀器 #GaN #新電子

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