Wide I/O與HMC標準帶動 3D IC矽穿孔製程需求看漲

作者: 張佑祥 / 張博智 / 陳尚駿
2013 年 06 月 16 日
3D IC矽穿孔製程將是實現下世代記憶體/邏輯晶片堆疊標準的關鍵技術。隨著Wide I/O與HMC等新興記憶體規格邁向立體堆疊結構,矽穿孔技術的重要性也跟著水漲船高,全球半導體標準組織及供應鏈業者無不積極投入研發。未來,製程技術與標準之間的發展也將相輔相成,讓3D...
》想看更多內容?快來【免費加入會員】【登入會員】,享受更多閱讀文章的權限喔!
標籤
相關文章

眺望台:追求更佳使用經驗 需靠類比技術來完成

2005 年 05 月 05 日

電源管理元件市場成長幅度大 Infineon持續強化電腦與消費性產品應用比重

2005 年 07 月 13 日

眺望台:元件間訊號流動關係重大 完整訊號路徑架構可提升效能

2005 年 08 月 02 日

工業/醫療/食品多領域應用開花 智慧感測器實現五感擬真

2020 年 05 月 25 日

物聯網廠商布局接招歐RED法規

2024 年 12 月 20 日

MIPS執行長Sameer Wasson:微架構才是CPU的護城河

2024 年 12 月 18 日
前一篇
高功率驅動IC把關電壓/電流 LED照明系統可靠度提升
下一篇
減輕再生能源併網問題 微電網提升主電網配電效益