Wide I/O與HMC標準帶動 3D IC矽穿孔製程需求看漲

作者: 張佑祥 / 張博智 / 陳尚駿
2013 年 06 月 16 日
3D IC矽穿孔製程將是實現下世代記憶體/邏輯晶片堆疊標準的關鍵技術。隨著Wide I/O與HMC等新興記憶體規格邁向立體堆疊結構,矽穿孔技術的重要性也跟著水漲船高,全球半導體標準組織及供應鏈業者無不積極投入研發。未來,製程技術與標準之間的發展也將相輔相成,讓3D...
》想看更多內容?快來【免費加入會員】【登入會員】,享受更多閱讀文章的權限喔!
標籤
相關文章

3「D」領風騷 光電商機燦爛奪目

2010 年 07 月 08 日

瞄準Big Data/異質網路商機 晶片廠猛攻OTN/乙太網方案

2012 年 12 月 03 日

新一代車用處理器出籠 智慧車運算/聯網效能倍增

2016 年 02 月 01 日

沉浸式/個性化體驗 軟體定義汽車硬體相挺

2023 年 02 月 27 日

記憶體頻寬限縮晶片算力 存算一體AI晶片大有可為

2023 年 03 月 04 日

微軟力推Copilot+PC AI PC生態系更健全(2)

2024 年 09 月 19 日
前一篇
高功率驅動IC把關電壓/電流 LED照明系統可靠度提升
下一篇
減輕再生能源併網問題 微電網提升主電網配電效益