Wide I/O與HMC標準帶動 3D IC矽穿孔製程需求看漲

作者: 張佑祥 / 張博智 / 陳尚駿
2013 年 06 月 16 日
3D IC矽穿孔製程將是實現下世代記憶體/邏輯晶片堆疊標準的關鍵技術。隨著Wide I/O與HMC等新興記憶體規格邁向立體堆疊結構,矽穿孔技術的重要性也跟著水漲船高,全球半導體標準組織及供應鏈業者無不積極投入研發。未來,製程技術與標準之間的發展也將相輔相成,讓3D...
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