類比訊號處理及功率管理方案供應商Zetex Semiconductors近日推出一系列採用SOT23封裝的中電壓雙極電晶體，可處理高至1.25瓦特的功率耗散。新系列包括7款NPN、6款 PNP元件，面積為3×2.5毫米，可取代體積大的DPAK、SOT89和SOT223部件，提升電路功率密度。
ZXTN及ZXTP雙極元件的集電極對射極電壓介乎40伏特至100伏特，是有助於汽車、工業和電訊應用中驅動電燈、繼電器與螺線管的高效率交換裝置。
由於該系列電晶體可阻擋180伏特電壓，又可處理高至5安培的連續集電極電流，因此能切換至500瓦特的負載。此外，其額定脈衝電流可達12安培，所以能以更高速度，驅動電源供應電路中具有更高電容的MOSFET及IGBT。
這些電晶體的飽和電壓均十分低，以50伏特額定ZXTN2031F為例，只有40毫伏特。等效通態電阻也低於其他具有相同封裝尺寸的MOSFET，以 100伏特額定ZXTN2020F為例，只有30毫伏特，因此耗散更少熱量，操作溫度更低。此外，其增益甚高，40伏特額定ZXTP25040DFH之增益至少可達300，不需額外緩衝也可讓IC直接驅動更大負載。
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