三星聯手MIT蓋「樓中樓」，意圖繞過台積電的護城河

台北信義區的房價之所以貴，是因為土地有限，這道理放在半導體晶片上完全適用。過去五十年，工程師都在做同一件事：把電晶體做小，好在同樣大小的矽晶圓上擠進更多開關。   但現在這條路越來越難走，昂貴的微影機與逼近物理極限的線寬，讓平面微縮的成本高到令人窒息。既然平面蓋不下，往天空發展似乎是唯一解方，但這正是困擾半導體界多年的噩夢。   攝氏400度的冷靜革命   要在晶片上蓋樓非常困難，原因出在溫度。傳統矽電晶體的製造過程動輒超過攝氏1000度，這高溫足以把已經蓋好的一樓（邏輯電路）與昂貴的金屬導線燒毀。這就像你想幫房子加蓋，但施工工法卻可能會先把客廳燒成灰燼。 MIT、滑鐵盧大學與三星電子共同發表的最新研究，正是為了解決這個熱預算難題。他們利用「非晶氧化銦」與「鐵電氧化鉿鋯」這類特殊材料，成功在攝氏400度以下的低溫環境中，直接在晶片後段製程的金屬層上長出垂直的電晶體。   這相當於發明了一種冷焊技術，讓工程師能在精密脆弱的電路迷宮屋頂上安全施工，實現真正的單晶片3D堆疊。   三星的算盤：一體成形的終極野望   三星之所以大力投入這項研究，動機非常單純且充滿野心：這是他們發揮「...