國際整流器(IR)推出一系列新型邏輯電平閘極驅動溝道HEXFET功率金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)，它們具有基準通態電阻(RDS(on))及高封裝電流額定值，適用於高功率直流(DC)馬達和電動工具、工業用電池及電源應用。
最新的基準MOSFET系列採用國際整流器最新的溝道技術，在4.5V Vgs下擁有相當低的RDS(on)，溫度效率顯著得到改善。此外，新元件更高的電流額定值，從多餘的瞬變提供更多防護頻帶，並減少並行類拓撲的元件數目。這類拓撲由幾個MOSFET共用高電流。藉著高達195安培的封裝電流額定值，產品的TO-220、D2PAK和TO-262封裝較典型封裝能夠改善超過60%的額定值；與標準D2PAK相比，七接腳D2PAK也進一步減低多達16%的RDS(on)，提供更多完善的選擇。
該公司亞洲區銷售副總裁潘大偉表示，新推出的邏輯電平閘極驅動溝道MOSFET備有基準RDS(on)，能夠由微型控制器或弱電池驅動，提升在輕負載狀態下的效率。這些新元件適用高電流直流對直流(DC-DC)轉換和直流(DC)馬達驅動應用。
新邏輯電平溝道MOSFET系列的電壓範圍由40～100伏特。
國際整流器網址：www.irf.com
