松下電器(Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.)和瑞薩科技(Renesas Technology)宣布成功整合測試45奈米的系統晶片(SoC)半導體製造技術。此項製程是產業首創完全整合氬氟ArF(Argon- fluoride)浸沒式掃瞄器與光隙數值1.0或更高的技術。松下與瑞薩自2005年10月開始合作45奈米製程開發計畫，自1998年開始合作前一代的生產製程開發計畫。
聯合開發計畫將於2007年6月完成，預計2008年初開始量產。全新45奈米製程將由松下和瑞薩共同使用，生產高階行動產品以及消費性網路電子產品之系統晶片。除高階的氬氟浸沒微影技術外，也計畫更進一步引進其他新技術，包含引流高移動率電晶體和ELK(K=2.4)多層次線路模組。
未來松下和瑞薩將持續合作，基於彼此的信任、聯合分配資源和共享技術資訊，有效開發高階技術，保持絕佳合作關係。
瑞薩科技網址：www.renesas.com
