檢測大電流、低電壓MOSFET故障機制 比較平面型與凹槽式架構

作者: G.Baz / G.Consentino
2005 年 03 月 02 日
目前一些設計,都需要在線性模型中使用MOSFET,不過,卻沒有詳細的datasheet提供特性描述;另外,現代設備的設計也出現向降低導通電阻的趨勢,以及以降低正向偏置安全工作區域為代價的大電流容量發展方向。因此,本文將比較並討論不同MOSFET架構的實驗結構...
》想看更多內容?快來【免費加入會員】【登入會員】,享受更多閱讀文章的權限喔!
標籤
相關文章

製程/材料推陳出新 下世代顯示器邁向無所不在

2007 年 02 月 02 日

廣色域化顯示器大行其道 LED背光模組補色技術再現

2007 年 05 月 31 日

物理感測器技術升級 消費性MEMS浪潮興起

2008 年 01 月 28 日

分散式基地台風行 FPGA助低成本/高彈性設計

2008 年 02 月 29 日

MU-MIMO技術強力助陣 第二代11ac傳輸飆高速

2014 年 11 月 13 日

AI語音助理百花齊放 高SNR麥克風革新人機互動

2025 年 04 月 25 日
前一篇
鉅景推出多項複合式記憶體
下一篇
寬頻接取版圖重分配 WiMAX後發先至