天科合達於近期宣布實現了3英寸碳化(SiC)晶片的規模化生產。此前，天科合達降低了2英寸SiC晶片的銷售價格，滿足客戶對新一代大功率半導體器件的研發和商業化應用。最近天科合達已成功實現了高質量3英寸導電型SiC晶片的量產且積極擴大產能。該公司表示，其產品質量相對於美國、歐洲同類產品極具競爭性，具備極低的平均微管密度、X-射線衍射搖擺曲線半高寬小於30弧秒、電阻率及晶片加工質量滿足工業用戶需求，適合製備新一代高性能肖特基二極管、金屬半導體場效應晶體管和金屬氧化物場效應晶體管等功率元件。
該公司指出，現今製備半導體功率元件仍主要應用大尺寸矽基襯底，其散熱性以及與GaN基、SiC基外延膜的匹配性較差，難以用於製備新一代高性能功率器件。基於SiC優良的導熱性及電化學特性，3英寸導電型SiC晶片的產業化生產，可促進高性能功率器件的研製和商業化應用，也可節約能源。天科合達4英寸導電型SiC晶片的研發已取得實質性突破，目的在於進一步支持客戶對於大尺寸SiC晶片的需求，天科合達預計4英寸晶圓產品不久將上市。
天科合達網址：www.tankeblue.com
