採用直接驅動設計 GaN FET開關控制效率增

2019 年 12 月 12 日
高壓(600V)氮化鎵(GaN)高電子移動率電晶體(HEMTs)的開關性能支持新的拓撲結構,能夠提升開關電源效率和密度。GaN的終端電容(Ciss/Coss/Crss)較低,且無第三象限反向恢復(Reverse...
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