東芝發表第二代碳化矽蕭特基位障二極體

2017 年 02 月 25 日

東芝半導體與儲存產品公司,近期發表第二代650V碳化矽(SiC)蕭特基位障二極體(SBDs),該產品提升了公司現行產品的湧浪順向電流(IFSM)約70%。8個碳化矽蕭特基位障二極體的新產品線也即將出貨。

此款碳化矽蕭特基位障二極體,採用東芝第二代碳化矽的製程製造,相較第一代產品,提升了70%的湧浪順向電流,且同時降低切換損失的RON*Qc指數約30%,使其適合用於高效率的功率因素修正方案。

新產品有4A、 6A、 8A和10A四種額定電流,用非絕緣的TO-220-2L或絕緣的TO-220F-2L包裝。這些產品有助於改善4K大銀幕液晶電視、投影機和多功能印表機的電源供應器效率,以及電信基地台和PC伺服器的工業設備。

 

標籤
相關文章

ST電隔離柵極驅動器控制SiC電晶體

2018 年 08 月 20 日

SiCrystal偕意法宣布碳化矽晶圓長期供應協議

2020 年 01 月 17 日

英飛凌攜手SMA力降變頻器系統成本

2020 年 02 月 04 日

英飛凌/Resonac宣布擴展SiC材料領域合作

2023 年 02 月 09 日

ROHM SiC SBD成功應用於Murata資料中心電源模組

2023 年 03 月 20 日

英飛凌推出全新CoolSiC MOSFET 2000V產品

2024 年 03 月 19 日
前一篇
追求極致寬頻 高通MWC強打異質聚合
下一篇
失之毫釐差之千里 微偏差蠶食良率不可輕忽