瑞薩電子碳化矽裝置較傳統矽功耗降低40%

2012 年 02 月 16 日

瑞薩電子(Renesas Electronics)宣布開發採用碳化矽(SiC)之蕭特基阻障二極體(Schottky barrier diode, SBD)–RJS6005TDPP。碳化矽材料在功率半導體裝置領域具有相當大的發展潛力,新款SiC蕭特基阻障二極體適用於空調、通訊基地台及太陽能發電陣列等高輸出電子系統;亦整合由日立(Hitachi)與瑞薩電子共同研發的技術,相較於瑞薩電子採用傳統矽(Si)材料的現有功率裝置,可降低約40%的低功耗表現。
 



近年來,為促進環境保護,許多類型的系統對於高效能電源供應電路的需求仍持續成長。部分產品對於高效率電源轉換的需求特別高,例如空調、通訊基地台、個人電腦(PC)伺服器及太陽能發電陣列,這些產品需利用電源切換電路或變頻器使馬達控制更加精準。因此,使用於上述電源轉換電路的二極體必須提供更快的切換速度及低電壓運作。瑞薩電子已研發新款SiC SBD以因應上述需求。
 



RJS6005TDPP具備15奈秒的逆向恢復時間(標準值:測量條件IF=15安培,di/dt=300安培/微秒),相較於採用瑞薩電子矽材料的現有產品,速度約提升40%,並將可提供更快的切換速度並降低功率損耗約40%。即使溫度上升,仍可維持理想的逆向恢復時間,因此可在高溫環境中維持一貫的低切換損耗。
 



新款SiC SBD具備僅1.5伏特的額定電壓(順向電壓(VF)),低於現有矽快速觸發二極體產品。另外,此特性的溫度依存度較低,在高溫環境下仍可確保獲得穩定的順向電壓。這表示可採用尺寸更小的散熱方式。RJS6005TDPP採用等同於業界標準完全塑模的TO-220封裝,而且接腳也能相容,表示可使用該SiC SBD替代現有印刷線路板上的傳統矽二極體。
 



瑞薩電子產品系列涵蓋3~30安培,電壓耐受度600伏特,功率裝置的設計符合高輸出系統對於更佳能源效率的需求,並計畫推出電壓耐受度1,200伏特的系列產品。瑞薩電子的目標是為客戶提供結合微控制器(MCU)及類比與功率裝置的整體解決方案,並成為功率裝置的領導供應商。
 



該公司計畫以新款高電壓SiC SBD功率裝置做為核心,輔以周邊電源供應控制IC、高效能絕緣閘雙極電晶體(IGBT)、高電壓超接面金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)及光耦合器等,擴增其套裝解決方案及化合物半導體裝置產品線。
 



RJS6005TDPP已開始供應樣品,單價為5美元。預定2012年3月起開始量產,並預估至2012年8月達到每月十萬顆的產能。
 



瑞薩電子網址:www.tw.renesas.com

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