英飛凌GaN專利遭侵權 對英諾賽科提出追加訴訟

作者: 吳心予
2024 年 07 月 29 日
英飛凌科技於2024年7月23日在美國加州北區地方法院,對英諾賽科(珠海)科技有限公司、英諾賽科美國公司及其關聯企業(以下簡稱:英諾賽科)在現有訴訟基礎上,提出了追加訴訟,指控其侵犯了英飛凌擁有的另外三項與氮化鎵(GaN)技術相關的專利。此外,英飛凌還向美國國際貿易委員會(ITC)提出申訴,就此訴訟所涉的四項專利提出法律索賠。...
》想看更多內容?快來【免費加入會員】【登入會員】,享受更多閱讀文章的權限喔!
標籤
相關文章

英特爾介入蘋果供應鏈 三星靜觀其變

2010 年 09 月 10 日

鎖定1,200V高壓應用 SiC模組/二極體全速開跑

2012 年 04 月 26 日

瞄準高瓦數應用 LED驅動IC架構翻新

2013 年 05 月 23 日

英飛凌展望2019擴大電源領先優勢 搶占車用鰲頭

2019 年 02 月 21 日

英飛凌/聯電攜手車用40奈米eNVM製造

2023 年 03 月 09 日

英飛凌推進8吋碳化矽晶圓量產 首批產品即將交貨

2025 年 02 月 18 日
前一篇
振生半導體執行長張振豐:硬體資安迎向典範轉移
下一篇
Green Hills µ-velOSity RTOS與ST Stellar SR6 MCU協同運作