專訪英飛凌科技高級副總裁曹彥飛：車用GaN/SiC技術/產能邁大步

汽車電動化已經是不可逆的市場趨勢，車用IC供應商紛紛投入更多電動車相關的研發能量與布局力道，搶攻電動車商機。在電動車的能源系統中，盡可能提升能源轉換效率是重要的目標，因此寬能隙半導體碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN)的市場熱度，隨著電動車的快速發展成長。 英飛凌科技高級副總裁/汽車電子事業部大中華區負責人曹彥飛說明，電動車裡非常重要的一個參數，便是能源轉換效率。目前的電動車電機驅動器都是基於半導體矽(Si)IGBT開發的，是目前最佳的方案，但是在使用效率上仍有不少提升空間。隨後寬能隙半導體的技術快速發展，目前已經可以規模化應用。 英飛凌科技高級副總裁/汽車電子事業部大中華區負責人曹彥飛指出，寬能隙半導體的技術快速發展，目前已經可以規模化應用 以氮化鎵和碳化矽為代表的第三代半導體，具有更寬的能隙表現、更高的擊穿電場、更高的熱導率、更高的電子飽和速率及更高的抗輻射能力。基於這類材料的功率元件，可以在溫度更高、電壓更強與開關頻率更快的情況下運作，為系統帶來更高的能源效率。曹彥飛認為，GaN和SiC是第三類半導體的關鍵技術，也具有低開關損耗等優點，適用於電動車電機驅動器功率元件。雖然GaN和SiC還處於汽車產業應用的早期，但其效能及可靠性仍潛力十足。 由於看好寬能隙半導體在電動車領域的應用，廠商如英飛凌在投入大量針對碳化矽的研發資源。其中SiC原料供應及冷切割(Cold...