在雙碳話題愈演愈烈的當下，以GaN氮化鎵/SiC碳化矽為材料的功率半導體器件進入了加速發展車道。GaN和SiC被稱為寬帶隙半導體(WBG)，具備耐高溫、耐高壓、高頻率、大功率、抗輻射等優異特性，可以幫助產品實現更高的開關效率，大聯大世平推出基於安森美(onsemi) NCP51561的高頻小型化工業電源方案。
NCP51561是onsemi推出的一款高壓隔離型雙通道門極驅動器，具有4.5A源電流和9A灌電流峰值能力。該新器件適用於矽功率MOSFET和基於SiC的MOSFET器件的快速開關，提供短且匹配的傳播延遲。
此外，NCP51561還具有兩個獨立的5kVRMS(UL1577級)電隔離門極驅動器通道，可用作兩個下橋、兩個上橋開關或一個半橋驅動器，具備可編程的死區時間。不僅如此，器件的一個使能引腳能同時關斷兩個輸出，且NCP51561提供其他重要的保護功能，如用於兩個門極驅動器的獨立欠壓鎖定(UVLO)和使能功能。得益於這些功能，可有效提高小型化工業電源的能源轉換效率。
