安森美(onsemi)與格羅方德(Globalfoundries)宣布達成全新合作協定，雙方將共同研發並製造下一代氮化鎵(GaN)功率元件，首發產品為650V元件。該系列產品將結合格羅方德200毫米增強型矽基氮化鎵工藝，以及矽基驅動器、控制器和強化散熱封裝技術，為AI資料中心、汽車、工業、航空航太等應用場景提供更小、更高能效的系統解決方案。
安森美企業戰略高級副總裁Dinesh Ramanathan表示，這次合作將安森美的系統及產品專業知識與格羅方德的GaN製程技術相結合，為高成長市場打造全新650V功率元件，計劃於2026年上半年開始向客戶提供樣品，並快速擴大至量產規模。
格羅方德首席商務官Mike Hogan指出，這次合作不僅加速了高效解決方案的發展，更為資料中心、汽車、工業、航空航太等關鍵市場構建了更具韌性的供應鏈。
安森美將其矽基驅動器、控制器和強化散熱封裝技術與格羅方德的650V GaN技術平台相結合，打造出更高功率密度和能效的GaN元件。產品應用場景包括AI資料中心電源及其DC-DC轉換器、電動汽車車載充電機及其DC-DC轉換器、微型太陽能逆變器和儲能系統，以及工業與航空航太領域的電機驅動器和DC-DC轉換器等。
此次合作進一步擴充了安森美的功率半導體產品群，涵蓋全方位GaN技術，讓系統設計人員能夠構建下一代電源架構，在更小的尺寸內實現更高的功率輸出。GaN技術的核心優勢包括更高開關頻率、雙嚮導通能力和整合化功能，這些特性有助於降低成本並簡化設計。
安森美計劃於2026年上半年開始提供樣品。
