電源工程師一直面對縮小應用空間和提高功率密度的兩個主要挑戰，而在筆記型電腦、負載點(Point-of-load)、伺服器、遊戲和電訊應用中，上述兩點尤其重要。為協助設計人員面對這些挑戰，快捷半導體(Fairchild)已開發出FDMS36xxS系列功率級非對稱雙金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)模組，達成高功率密度與簡化設計的需求。
FDMS36xxS系列元件在PQFN封裝中結合控制和同步MOSFET，以及一個單晶片內含蕭特基寄生二極體。這些元件的開關節點已於內部連接，能夠輕易進行同步降壓轉換器的佈局和布線。控制MOSFET(Q1)和同步MOSFET(SyncFET)(Q2)專門為高達30安培的輸出電流而設計，可提供最佳的效率。FDMS36xxS系列將上述元件整合在一個模組中，可為代兩個或更多的5毫米×6毫米PQFN、S08和DPAK封裝，可有效節省線路板空間。
該系列產品亦採用快捷先進的電荷平衡架構(遮罩閘極技術)和先進封裝技術，可在高性能運算的額定崩潰電壓下，取得低於2mΩ的業界領先低側RDS(ON) 。該系列產品經過最佳化處理，以便儘量減低300k～600KHz範圍的綜合傳導損失和開關損失，為負載點和多相同步降壓直流對直流(DC-DC)應用帶來可靠的最高效率。
此外，其使用獨特的遮罩電壓調變架構和超低源極電感封裝設計，可提供低開關雜訊、低設計變化敏感度和較高的設計可靠性。低開關雜訊可以免除需要外部緩衝元件或閘極電阻的緩減設計，從而降低設計物料清單(BOM)成本，同時節省更多線路板空間。
FDMS36xxS系列元件目前包括：FDMS3602S和FDMS3604AS PowerTrench功率級非對稱N通道雙MOSFET，兩款FDMS36xxS系列元件均滿足RoHS無鉛標準要求。未來，快捷也將會根據研究和客戶需求，推出更多的元件。
快捷半導體網址：www.fairchildsemi.com
