擴展應用層面/簡化開發 GaN FET搶占功率版圖

作者: 閻松駿
2023 年 02 月 27 日
根據美國市場研究公司GVR(Grand View Research)的研究報告指出氮化鎵(Gallium Nitride, GaN)半導體市值將從2021年開始以複合成長率24.4%的速度成長至2030年,其成長速度將是矽半導體的100倍並且延伸到車用、機器人、馬達驅動器和通訊等領域。...
》想看更多內容?快來【免費加入會員】【登入會員】,享受更多閱讀文章的權限喔!
標籤
相關文章

利用GaN實現雙電池管理 輕油電車運作更高效

2020 年 12 月 21 日

iBeam技術大躍進 Micro LED顯示器有望2022量產

2020 年 01 月 31 日

寬能隙半導體應用起飛 GaN/SiC驗證分析全面啟動

2021 年 05 月 03 日

取代傳統矽基元件 SiC力助車載充電器高效運行

2022 年 03 月 24 日

SiC/GaN最佳化傳動系統效率 實現EV節能設計(2)

2024 年 02 月 02 日

寬能隙電晶體帶來雙重優勢 電動車OBC效能更上層樓(1)

2024 年 03 月 21 日
前一篇
資安風險影響範圍大增 建立數位信任藍圖刻不容緩
下一篇
沉浸式/個性化體驗 軟體定義汽車硬體相挺