美國氮化鎵(GaN)電源晶片業者Navitas近日在送交美國證券交易管理委員會(SEC)的報告中指出，該公司的晶圓代工訂單將逐漸由台積電轉往力積電。台積電亦證實，該公司正在與客戶密切配合，確保轉移過程平順度過。業界普遍認為，競爭過於激烈，是促成台積電放棄氮化鎵晶圓代工業務的主因。但其實國際大廠對氮化鎵技術的發展前景依然相當樂觀，例如英飛凌(Infineon)就在台積電確定淡出氮化鎵晶圓代工業務後，宣示該公司的12吋氮化鎵晶圓量產計畫將持續推進，預計在2025年第四季向客戶發出第一批樣品。因此，可以預期的是，氮化鎵電源晶片的市場競爭，只會比現在更加白熱化。
根據Navitas近日提交的報告，該公司將從台積電的6吋晶圓製程轉向力積電的8吋晶圓製程。其首批在力積電竹南8B廠生產的100V至650V氮化鎵產品，將於2025年第四季完成認證，2026年上半年率先量產100V系列，650V系列則將於12至24個月內逐步從台積電轉單至力積電。力積電具備0.18微米CMOS製程能力，Navitas認為，此先進節點有助提升GaN元件效能、良率與成本競爭力。然而，就在Navitas宣告轉向8吋晶圓製程之際，IDM業者英飛凌宣布，該公司第一批在12吋晶圓上生產的氮化鎵電源晶片樣品，將在2025年第四季如期送交客戶進行驗證。這意味著氮化鎵電源晶片將正式跨入12吋晶圓世代，國際大廠將握有在價格戰上與眾多對手奉陪到底的籌碼。
英飛凌氮化鎵業務線負責人Johannes Schoiswohl表示，作為電源系統領域的領導者，該公司專精於三種材料的相關技術：矽(Si)、碳化矽(SiC)和氮化鎵。憑藉更高的功率密度、更快的開關速度和更低的功率損耗，氮化鎵半導體可實現更精簡的設計，從而減少智慧手機充電器、工業和人形機器人，以及太陽能逆變器等電子設備的能耗和熱量產生。該公司全面擴大的12吋氮化鎵生產規模，將協助其更快地為客戶提供更高價值的產品，同時讓矽和氮化鎵產品的成本更加接近。
英飛凌的生產策略主要依據IDM模式，即擁有從設計、製造和銷售最終產品的整個半導體生產流程。公司的內部生產策略是市場上的一個關鍵差異化因素，具有多重優勢，如能提供更高品質的產品、更快的產品上市時間以及出色的設計和開發靈活性。英飛凌致力於為氮化鎵客戶提供支援，並可擴大產能以滿足他們對可靠的氮化鎵電源解決方案的需求。
憑藉其技術領先優勢，英飛凌已成為首家在現有大批量生產基礎設施內成功開發出12吋氮化鎵功率晶圓技術的半導體製造商。與現有的8吋晶圓相比，12吋晶圓上的晶片生產在技術上更加先進，效率也顯著提高，因為更大的晶圓直徑可使晶片生產效率提高2.3倍。這些增強的能力，加上英飛凌強大的氮化鎵專業團隊，以及業界最廣泛的智慧財產權組合，恰好可以滿足基於氮化鎵的功率半導體在工業、汽車、消費、運算和通訊等領域快速普及，包括AI系統電源、太陽能逆變器、充電器和適配器以及馬達控制系統等。
市場分析師預測， GaN在功率應用領域的營收將以每年36%的速度增長，到2030年達到約25億美元。英飛凌擁有專有的生產能力和強大的產品組合，去年發布了40多款新型GaN產品，這使其成為尋求高品質GaN解決方案客戶的首選合作夥伴。
