英飛凌(Infineon)發布800V CoolMOS P7系列產品。採用Superjunction技術，800V MOSFET，不但擁有優異效能且相當易於使用。新產品適用於低功率SMPS應用，完全符合市場對於效能、簡易設計和性價比的需求，並主要著重於充電器、LED 照明、音訊、工業與輔助電力等應用中常見的返馳式拓樸。
800V CoolMOS P7系列，提供高達0.6%的效率增益。相較於CoolMOS C3或其他品牌元件，本系列在典型返馳式應用測試中，可為MOSFET降溫2到8 °C。這項新標竿是結合最佳化裝置參數的成果：包括降低超過50%的Eoss與Qg及減少Ciss與Coss。
更優異的效能，透過更低的切換損耗和更佳的DPAK RDS(on)產品，實現更高功率密度的設計。整體而言，可幫助客戶節省BOM成本並減少組裝的工作量。
本系列產品的另一項特色是非常易於使用，整合型齊納二極體可大幅提升 ESD 耐用性，因而減少ESD相關的產品良率損失。藉由V(GS)th=3V和僅±0.5 V的最小V(GS)th變動，MOSFET不但易於驅動和納入設計，這樣的組合可達成更低的驅動電壓和切換損耗，並有助於避免線性區域的非預期操作。
