當代的電源系統設計需求高功率密度等級和精巧的外型尺寸，以期得到最高的系統級效能。英飛凌科技(Infineon)透過專注於元件級的強化達到系統創新，來應對此一挑戰。繼2月份推出25V裝置後，英飛凌再推出 OptiMOS 40 V低電壓功率MOSFET，採用源極底置(Source-Down, SD)PQFN封裝，尺寸為3.3×3.3mm2。這款 40 V SDMOSFET適用於伺服器的 SMPS、電信和 OR-ing，還適用於電池保護、電動工具和充電器等應用。
SD 封裝的內部採用上下倒置的晶片。如此一來，讓源極電位(而非汲極電位) 能透過導熱片連接至 PCB。與現有技術相比，此版本最終可使RDS(on)大幅降低25%。相較於傳統的 PQFN 封裝，接面與外殼間的熱阻(RthJC)亦獲得大幅改善。SD OptiMOS 可承受高達 194 A 的高連續電流。此外，經過最佳化的配置可能性和更有效的 PCB 利用，可實現更高的設計靈活性和高效能。
