Diodes推出碳化矽(SiC)系列最新產品DMWS120H100SM4 N通道碳化矽MOSFET。該款裝置可以滿足工業馬達驅動、太陽能逆變器、資料中心及電信電源供應、直流對直流(DC-DC)轉換器和電動車(EV)電池充電器等應用，對更高效率與更高功率密度的需求。
DMWS120H100SM4在高電壓(1,200V)和汲極電流(可達37A)的條件下運作，同時維持低導熱性(RθJC=0.6°C/W)，適合用於在惡劣環境中運作的應用。該款MOSFET的RDS(ON)(典型值)很低，僅80mΩ(對於15V的閘極驅動)，能將傳導耗損降至最低，並提高效率。而這款裝置的閘極電荷僅52nC，可減少開關耗損與降低封裝溫度。
該產品是市場上首款採用TO247-4封裝的碳化矽MOSFET。額外的凱爾文感應接腳可以接到MOSFET的源極，以最佳化切換效能，達到更高的功率密度。
