專利設計發功　ROHM量產溝槽式SiC-MOSFET

SiC-MOSFET技術新突破。羅姆半導體(ROHM)近日研發出採用溝槽(Trench)結構的SiC-MOSFET，並已建立完整量產機制。新推出的溝槽式SiC-MOSFET和平面型SiC-MOSFET相比，可降低50%導通電阻，大幅降低太陽能發電用功率調節器和工業用變流器等設備的功率損耗。 羅姆半導體功率元件製造部部長伊野和英(左2)表示，新發布的溝槽式SiC-MOSFET採用該公司獨有的雙溝槽結構專利，目前已開始量產。 ...
2015 年 08 月 11 日

取得高通授權　BRUSA打造電動車無線充電系統

為推廣無線充電，高通(Qualcomm)與汽車一級電力電子產品供應商BRUSA宣布達成協議，BRUSA獲得高通Halo技術的專利授權，將用以為插電式混合動力車和電動汽車開發商用電動車無線充電(WEVC)系統。根據協議條款，高通授權BRUSA為特定汽車製造商開發、製造及供應WEVC系統。 世界各地的汽車製造商都被無線充電技術的巨大潛力所吸引，因為無線充電技術是符合使用者需求的。而BRUSA首創的「ICS」無線充電系統，可用安全及高效率的方式，將電力傳遞到車輛，省去了目前電動車充電時所需要的電纜。 高通副總裁兼無線充電總經理Steve...
2015 年 07 月 31 日

Intel/美光發表3D XPoint技術　打造新記憶體類型

記憶體製程科技大突破。英特爾(Intel)與美光(Micron)科技聯合開發出3D XPoint技術，可實現全新的非揮發性記憶體，是自1989年NAND快閃晶片推出以來第一個新記憶體類別，將徹底改造任何裝置、應用及服務，現已開始在美光的快閃記憶體晶圓廠生產。 英特爾資深副總裁暨非揮發性記憶體解決方案事業群總經理Rob...
2015 年 07 月 30 日
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