半導體製造商ROHM推出一款適用於600V高耐壓GaN HEMT驅動的絕緣閘極驅動器IC「BM6GD11BFJ-LB」。透過與本產品組合使用，可使GaN元件在高頻、高速開關過程中實現更穩定的驅動，有助於馬達和伺服器電源等大電流應用進一步縮減體積並提高效率。
新產品是ROHM首款針對高耐壓GaN HEMT的絕緣閘極驅動器IC。在電壓反覆急遽升降的開關工作中，使用本產品可將元件與控制電路隔離，確保訊號的安全傳輸。透過ROHM自主開發的On-chip絕緣技術，新產品能有效降低寄生電容，實現高達2MHz的高頻驅動。藉由充分發揮GaN元件的高速開關特性，不僅有助應用產品更節能和實現更高性能，更可透過週邊元件的小型化來減少安裝面積。
另外，絕緣閘極驅動器IC的抗雜訊性能指標：Common-Mode Transient Immunity(CMTI)達到了150V/ns，是傳統產品的1.5倍，可有效防止GaN HEMT開關時高轉換速率所引發的誤動作，有助於系統實現穩定控制。此外，最小脈衝寬度較傳統產品縮減33%，導通時間縮短至65ns。因此，雖然頻率更高卻仍可確保最小工作週期，將損耗控制在更低程度。
GaN元件的閘極驅動電壓範圍為4.5V～6.0V，絕緣耐壓為2500Vrms，新產品可充分發揮高耐壓GaN元件的性能潛力。輸出端的消耗電流僅0.5mA(最大值)，達到業界頂級低功耗水準，並且可有效降低待機功耗。
新產品已於2025年3月開始量產(樣品價格：600日元/個，未稅)，並已開始透過電商平台銷售。
在全球能源消耗逐年攀升的背景下，節能對策已成為世界各國共同面臨的課題。據調查，「馬達」和「電源」消耗的電量約占全球總用電量的97%。改善「馬達」和「電源」效率的關鍵在於採用碳化矽(SiC)和氮化鎵(GaN)等新世代材料製造的新世代功率元件。
ROHM充分發揮了在矽半導體和SiC絕緣閘極驅動器IC開發過程中所累積的技術優勢，成功推出專為GaN元件驅動而最佳化的絕緣閘極驅動器IC。今後，ROHM將配套提供GaN元件驅動用的閘極驅動器IC與GaN元件，助力應用產品的設計更便利。
應用示例包括工業設備(如PV Inverter、ESS、通訊基地台、伺服器、工業馬達等電源)及消費性電子(如白色家電、AC adapter、電腦、電視、冰箱、空調)。
