SiC熱特性優異 電源轉換效能更上層樓

2018 年 01 月 04 日
市場對切換速度、功率、機械應力和熱應力耐受度之要求日益提升,而矽元件理論上正在接近性能上限。寬能帶隙半導體元件因電、熱、機械等各項性能表現俱佳而被業界看好,被認為是矽半導體元件的替代技術。
》想看更多內容?快來【免費加入會員】【登入會員】,享受更多閱讀文章的權限喔!
標籤
相關文章

確保碳化矽電源系統可靠度 元件溫度不宜超過鋁熔點

2024 年 01 月 11 日

GCD技術突破 特徵分析加速MOSFET演進

2010 年 01 月 28 日

驅動更高電源效率 功率MOSFET封裝有新招

2016 年 10 月 08 日

推升大功率電源轉換器能效 新GaN功率開關鋒芒畢露

2019 年 05 月 09 日

SiC MOSFET解封逆變器效能(3)

2023 年 05 月 22 日

SiC高電壓應用穩健無虞

2023 年 07 月 13 日
前一篇
iPhone帶動類載板商機 中韓廠商持續跟進
下一篇
力推AI發展 中/美PCIe 4.0升級需求增