SiC高電壓應用穩健無虞

作者: Ajay Hari
2023 年 07 月 13 日
近期碳化矽(SiC)及其在電力電子領域的潛在應用受到了廣泛關注, 但同時也引發了一些誤解。圍繞SiC產生的一些疑慮與其應用範圍相關, 例如一些設計人員認為SiC MOSFET應該用來替代IGBT,而矽MOSFET的替代品應該是氮化鎵(GaN)元件。然而,額定電壓為650V的SiC...
》想看更多內容?快來【免費加入會員】【登入會員】,享受更多閱讀文章的權限喔!
標籤
相關文章

矽材料已近物理極限急尋接班 寬能隙GaN表現優異可望出線

2019 年 03 月 28 日

推升大功率電源轉換器能效 新GaN功率開關鋒芒畢露

2019 年 05 月 09 日

建置成本/節能利用最佳化 資料中心功秏/效率錙銖必較

2020 年 08 月 29 日

SiC低耗損提升UPS效率

2023 年 11 月 09 日

氮化鎵電晶體添柴加薪 無線充電功率密度更進一步

2019 年 02 月 27 日

SiC掃平電動車里程焦慮(2)

2023 年 10 月 18 日
前一篇
TrendForce: 全固態電池車有望於2030年進入量產
下一篇
PCB飛針測試力助產品開發(3)

登入會員

本站程式甫於2022.5.5更新,
所有舊會員必須先點擊:
忘記密碼 進行密碼確認後,才能正常登入。

上述動作目的在於確保帳號安全性,造成不便懇請見諒。如您已重設過密碼,請忽略此訊息。