SiC大舉增加能源系統效率　電動車/太陽能逆變器高效世代來臨(1)

WBG半導體的擊穿電壓高十倍，受熱能啟動的程度也更低。對於需要出色的高功率、高溫和高頻率性能的電動車和逆變器製造商來說，SiC半導體代表著令人興奮的前景。 日益加劇的氣候異常和極地冰蓋的不斷縮小，清楚地證明了氣候變化影響的日益加劇。但有一個不幸的事實是，汽車產業若要擺脫化石燃料極其困難，向綠色技術的轉變也帶來了一系列技術挑戰。無論是綠色能源的產量要跟上快速擴張的市場步伐，還是新解決方案努力達到現有系統產出水準，都是讓能源產業完全擺脫化石燃料的過程中，必須克服的難題。 對於電動車(EV)和太陽能電池板等應用，工程師面臨著更多的挑戰，因為敏感的電子元件必須在惡劣的環境中持續可靠地運行。為了進一步推動汽車的永續解決方案，需要在元件層面進行創新，以提高整個系統的效率，同時提供更強的穩健性。碳化矽(SiC)半導體作為一種能夠實現這些必要進步的技術，正迅速成為人們關注的焦點。 碳化矽提高能源效率 SiC作為第三代半導體技術的一部分，解決方案具有寬能隙(WBG)特性，並提供了更高水準的性能。與前幾代半導體相比，價帶頂部和導帶底部之間更大的能隙增加了半導體從絕緣到導電所需的能量。相比之下，第一代和第二代半導體轉換所需的能量值在0.6~1.5...