ST雙管齊下布局SiC/GaN製造

半導體製造在全球的產業發展中不僅有重要的戰略意義，也是各項新興技術的推手。近年來，半導體供應鏈面對疫情、經濟局勢變化與地緣政治事件的衝擊，積極朝向提高供應鏈韌性的目標前進。半導體供應商如意法半導體(ST)，便積極透過製造基地布局、技術整合與建立永續生產模式等作法，期望強化企業的發展性。 意法半導體執行副總裁暨中國區總裁曹志平說明，在半導體產業的定位中，ST是一家垂直整合製造商(IDM)，涵蓋晶片設計、晶圓製造、封裝和測試、銷售，也就是業務範圍包含無廠(Fabless)模式、半導體代工和後段製程，如封裝測試等。ST的製造基地遍布全球，前段製程製造基地主要分佈在四個國家，包括瑞典、法國、義大利和新加坡。此外，義大利、法國、摩洛哥、馬爾他、馬來西亞、中國深圳和菲律賓設有多個封裝和測試工廠。廣泛的製造基地布局為ST在新冠疫情期間，帶來穩定的內部生產及產品供應，能夠順利為客戶供貨。 晶圓製造的技術方面，ST具備包括BCD在內的智慧功率技術，也提供STi²GaN和VIPower，能夠用於專門的光學影像感測器製程等。就功率技術而言，ST提供功率MOSFET、IGBT、碳化矽(SiC)和氮化鎵(GaN)產品。其中，數位化技術方面，ST具有FD-SOI技術，也能與代工廠合作，取得FinFET技術。就快閃記憶體技術而言，ST可採用多元的聚焦嵌入式快閃記憶體、CMOS的特殊技術。另外在射頻CMOS和BiCMOS技術方面，由於這些技術能夠提供特有的防輻射功能，非常適用於製造衛星相關的技術產品。就封裝技術而言，ST能夠提供包括引線框架、層壓板、感測器模組、晶圓級等所有技術在內的組合。 ST採取整合技術與晶圓製造的策略　(資料來源：ST) 2022年，ST宣布與格羅方德建立合作夥伴關係，將與格羅方德一起在法國建立專注於FD-SOI技術的製造工廠。ST所有工廠和格羅方德的所有晶圓廠，都通過了ISO環境和能源管理認證。透過這個新工廠，期望能減少大量能源消耗和溫室氣體排放，並確保空氣和水品質。 SiC/GaN同步發展製造 面對SiC與GaN的市場需求成長，ST從2017年量產SiC元件，車用SiC出貨量突破一億。就產能而言，相較2020年，ST在2022的產能成長了2.5倍以上，並且產能擴張還在繼續進行中。目前，卡塔尼亞和新加坡兩個工廠是ST生產SiC元件的主要基地。位於中國深圳和摩洛哥布斯庫拉的這兩個工廠則負責SiC元件的封裝和測試。ST的目標是到2024年達成40%以上碳化矽基板的內部供應。為此，ST制定策略並計畫收購Norstel，將其轉化為ST的技術並擴大產能，以在2024年之前達到40%碳化矽基板的內部供應目標。 ST在SiC生產的目標是2024內部供應達到40%以上　(資料來源：ST) 除了SiC的投資，ST也計畫提升GaN的技術能力和產能，以達到公司的營收目標。ST針對氮化鎵部署功率轉換GaN和射頻功率GaN技術，以及法國的圖爾8吋功率GaN晶圓廠。同時，外延基板研發能力和試製生產線也已經準備就緒，並於2022年完成了晶圓廠的生產認證，將在2023年開始量產和增產。除了這個8吋的功率GaN晶圓廠，ST在義大利卡塔尼亞的6吋射頻GaN晶圓廠，在2022年完成了晶圓廠生產認證。 在GaN領域，ST已經和台積電開展了製程合作，採用台積電業界先進的GaN製程生產ST的產品。同時也收購了法國GaN新創公司EXAGAN，將其整合到更廣泛的ST功率GaN業務中。關於未來ST的製造優化策略，對外將透過與代工廠合作，縮短產品上市時間，並達成多地量產來完善生產計畫。對內則掌握法國圖爾工廠的8吋晶圓製造機會，發揮專有之100V、650V技術專長。 ST的策略是雙管齊下，既提供SiC，也提供GaN。在應用方面，除了在650V有少量重叠外，這兩種技術幾乎是完全互補的。目前，SiC仍是現今設計人員的首選技術。而高電子遷移率電晶體(GaN...