瞄準16/14nm檢測需求 漢微科明年產能翻三倍

半導體電子束檢測(E-beam Inspection)設備龍頭漢微科正全速擴產。繼28和20奈米(nm)之後,2015年晶圓代工廠紛紛跨入16或14奈米鰭式電晶體(FinFET)世代,對高解析度的電子束檢測設備需求將更加強勁,因而帶動漢微科提早展開布局,將於2013~2014年投入新台幣10億元擴建新廠房,並於2014下半年正式投產,挹注三倍設備產能。 ...
2013 年 08 月 02 日

賽靈思ASIC等級FPGA開始投片

賽靈思(Xilinx)已開始投片20奈米可編程邏輯元件(PLD)和20奈米All Programmable元件。同時,賽靈思亦著手建置特定應用積體電路(ASIC)等級可編程架構–UltraScale。 ...
2013 年 07 月 16 日

催生新世代處理器 台積電翻新晶圓製程技術

台積電正多管齊下打造兼顧效能與功耗的新世代處理器。為優化處理器性能並改善電晶體漏電流問題,台積電除攜手矽智財(IP)業者,推進鰭式電晶體(FinFET)製程商用腳步外,亦計畫從晶圓導線(Interconnect)和封裝技術著手,加速實現三維晶片(3D...
2013 年 07 月 01 日

高整合晶片需求旺 3D IC/WLP設備和材料銷售揚

行動裝置發展熱潮持續升溫,驅動晶片商加緊導入3D IC與晶圓級封裝(Wafer-level-packaging, WLP)技術,開發更高整合度的解決方案,因而推升相關設備與材料需求。Yole Developpement預估,2013年3D...
2013 年 06 月 17 日

反擊Altera 賽靈思2014量產16奈米FPGA

賽靈思(Xilinx)將搶先在競爭對手Altera之前,發表16奈米鰭式場效電晶體(FinFET)現場可編程閘陣列(FPGA)。面對Altera採用英特爾(Intel)14奈米三閘極電晶體(Tri-gate...
2013 年 05 月 31 日

20nm/3D IC技術撐腰 賽靈思猛攻視覺/網路應用

賽靈思(Xilinx)將以20奈米(nm)、3D IC製程做為核心戰力,加快FPGA取代ASIC、ASSP的腳步。ASIC及ASSP導入先進製程後,設計成本將高得嚇人,使得系統廠轉搭可編程邏輯元件(PLD)的意願已愈來愈高,因此賽靈思已加快20奈米FPGA量產和3D...
2013 年 05 月 29 日

手機晶片加速整合 3D IC非玩不可

3D IC將是半導體業者站穩手機晶片市場的必備武器。平價高規智慧型手機興起,已加速驅動內部晶片整合與製程演進;然而,20奈米以下先進製程研發成本極高,但所帶來的尺寸與功耗縮減效益卻相對有限,因此半導體廠已同步展開3D...
2013 年 05 月 23 日

衝刺28奈米/FinFET研發 晶圓廠資本支出創新高

為爭搶先進製程商機大餅,包括台積電、格羅方德和三星等晶圓代工廠,下半年均將擴大資本設備支出,持續擴充28奈米製程產能;與此同時,受到英特爾衝刺FinFET技術研發刺激,各大晶圓廠也不斷加碼技術投資,將驅動整體晶圓代工產業支出向上飆升。
2013 年 05 月 13 日

28nm製程助臂力 FPGA變身3D IC/SoC

FPGA正朝3D IC及SoC設計形式演進。拜28奈米先進製程所帶來的低功耗、小尺寸優勢所賜,FPGA不僅已能整合處理器核心,朝SoC方案演進,藉此提升整合度及產品性能,更可實現多種異質元件整合的3D...
2013 年 04 月 29 日

因應10奈米/3D IC製程需求 半導體材料/封裝技術掀革命

半導體材料與封裝技術即將改朝換代。因應晶片製程邁向10奈米與立體設計架構,半導體廠正全力投入研發矽的替代材料,讓電晶體在愈趨緊密的前提下加強電洞和電子遷移率;同時也持續擴大高階覆晶封裝技術和產能布局,以加速3D...
2013 年 04 月 15 日

急甩聯電 格羅方德大舉收購晶圓設備

日前茂德12吋晶圓廠出售標案,格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)從世界先進手中搶親成功,先取得約千件專攻90、65奈米(nm)以下製程的蝕刻、曝光等設備;分析師解讀,格羅方德此舉主要為補強先進製程完整性,同時以較低成本購入大量設備,用以轉換成28奈米產線,進一步拉大與聯電的市占差距。 ...
2013 年 04 月 09 日

力戰一條龍代工廠 晶圓/封測廠強化2.5D合作

中型晶圓廠攜手封裝測試商發展2.5D/3D IC製程。台積電積極投資覆晶熱壓焊技術,可望成為2.5D/3D IC市場上提供一條龍服務的代工廠;為與台積電一別苗頭,晶圓廠透過加強與封測商的合作關係,以降低模組管理與良率不佳問題,進而提供「虛擬IDM」商業模式。
2013 年 04 月 01 日