英飛凌推出CoolSiC蕭特基二極體2000V

如今，許多工業應用可以透過提高直流母線電壓，在力求功率損耗最低的同時，向更高的功率水準過渡。為滿足這一需求，英飛凌(Infineon)推出CoolSiC蕭特基二極體2000V G5，這是市面上首款擊穿電壓達到2000V的分立式SiC二極體。該產品系列適用於直流母線電壓達1500...
2024 年 10 月 31 日

英飛凌CoolSiC MOSFET 400V助攻AI伺服器電源

隨著人工智慧(AI)處理器對功率的要求日益提高，伺服器電源(PSU)必須在不超出伺服器機架規定尺寸的情況下提供更高的功率，這主要是因為高階GPU的能源需求激增。到2030年，每顆高階GPU晶片的能耗可能達到2千瓦或以上。這些需求以及更高要求的應用和相關特定客戶需求的出現，促使英飛凌(Infineon)開發電壓650V以下的SiC...
2024 年 07 月 02 日

英飛凌推出全新CoolSiC MOSFET 2000V產品

英飛凌(Infineon)推出採用TO-247PLUS-4-HCC封裝的全新CoolSiC MOSFET 2000V裝置，不僅能夠滿足設計人員對更高功率密度的需求，而且即使面對嚴格的高電壓和開關頻率要求，也不會降低系統可靠性。 CoolSiC...
2024 年 03 月 19 日

英飛凌CoolSiC高功率模組助攻節能電氣化列車

為了實現全球氣候目標，交通運輸必須轉用更加環保的車輛，比如節能的電氣化列車。然而，列車運行有嚴苛的運行條件，需要頻繁加速和制動，且要在相當長的使用壽命內可靠運行。因此，它們需要採用具備高功率密度、高可靠性和高品質的節能牽引應用。 英飛凌科技(Infineon)為了滿足上述需求，在其CoolSiC功率模組產品組合中新增了兩款產品FF2000UXTR33T2M1和FF2600UXTR33T2M1。這兩款功率模組採用新開發的3.3kV...
2023 年 06 月 07 日

Sungrow/英飛凌合推新光伏逆變器

隨著最新1500伏光伏串列式逆變器SG350HX的推出，陽光電源(Sungrow)提供解決方案，其最大輸出功率為352千瓦。因此，與其上一代逆變器相比，新的逆變器的輸出功率大幅增加了約40%。該逆變器配備了英飛凌(Infineon)的產品，為這一性能提升做出了貢獻：客製化的EasyPACK功率模組配備了最新發布的CoolSiC...
2021 年 10 月 18 日

400kW DC充電器　英飛凌CoolSiC助實現超快速EV充電站

西班牙電源轉換集團Ingeteam與英飛凌(Infineon)攜手合作，打造超快速(Superfast)電動車(EV)充電服務，讓客戶享有最佳體驗。Ingeteam所提供的INGEREV RAPID ST400轉換器的額定功率為400kW，內建採用EasyDUAL...
2020 年 07 月 22 日

拓展碳化矽應用　英飛凌發表62mm CoolSiC模組

英飛凌1200V CoolSiC MOSFET模組系列新添62mm工業標準模組封裝產品。62mm封裝之產品採用半橋拓撲設計及溝槽式晶片技術，此封裝為碳化矽打開了250kW以上，矽基IGBT技術在62mm封裝的功率密度極限，中等功率應用的大門。相較於一般的62mm...
2020 年 07 月 20 日

Si/SiC/GaN各擅勝場　功率開關元件選用要仔細

電源轉換器所使用的功率開關元件一直以來都採用矽(Si)半導體材料為主，但是隨著越來越多苛刻的應用與需求，矽半導體材料發展也趨近於材料本身的極限，使得矽功率開關元件已經無法完全符合需求。為了符合電源轉換...
2019 年 12 月 09 日

英飛凌CoolSiC MOSFET與TRENCHSTOP IGBT推出Easy 2B封裝

相較於傳統三階中點箝位拓撲，進階中點箝位(ANPC)變頻器設計可支援半導體裝置間的均勻損耗分佈。英飛凌科技旗下1200 V系列混合式SiC與IGBT功率模組新增採用ANPC拓撲 EasyPACK 2B封裝。此模組分別針對CoolSiC...
2019 年 08 月 12 日

落實快速DC充電架構　電池電動車行駛距離大躍進

隨著市場上電池電動車(BEV)的款式陸續推出，加上政府亟欲利用電動車將汽車排放量減到零，使BEV成為市場的新寵兒。但BEV最讓人詬病的其中一點，就是行駛距離遠比不上內燃機(IC)引擎的車輛。雖然絕大多...
2019 年 08 月 12 日

開創功率轉換新局面　SiC MOSFET邁入主流市場

碳化矽(SiC)MOSFET的優異技術功能必須搭配適合的成本定位、系統相容性功能、近似於矽的FIT率以及量產能力，才足以成為主流產品。電力系統製造商需在實際商業條件下符合所有上述多項要素，以開創功率轉...
2018 年 12 月 29 日

滿足高功率轉換/小體積電源設計需求　晶片商啟動SiC軍備競賽

為提升電子系統整體電源轉換效能與功耗，並達到輕量化目標，在矽元件被認為已逐漸面臨極限的狀況下，半導體業者開始發展寬能隙半導體。其中，SiC具備高切換速度與低損耗，可實現輕量化、高效率目標，於電動車、工...
2018 年 08 月 09 日
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