台積做後盾 賽靈思SoC/3D IC產品發功

賽靈思(Xilinx)營收表現持續看漲。賽靈思將攜手台積電,先將28奈米(nm)製程的新產品效益極大化,而後持續提高20奈米及16奈米鰭式場效應電晶體(FinFET)製程比例,同時以現場可編程閘陣列(FPGA)、系統單晶片(SoC)及三維積體電路(3D...
2013 年 10 月 22 日

高整合晶片需求旺 3D IC/WLP設備和材料銷售揚

行動裝置發展熱潮持續升溫,驅動晶片商加緊導入3D IC與晶圓級封裝(Wafer-level-packaging, WLP)技術,開發更高整合度的解決方案,因而推升相關設備與材料需求。Yole Developpement預估,2013年3D...
2013 年 06 月 17 日

反擊Altera 賽靈思2014量產16奈米FPGA

賽靈思(Xilinx)將搶先在競爭對手Altera之前,發表16奈米鰭式場效電晶體(FinFET)現場可編程閘陣列(FPGA)。面對Altera採用英特爾(Intel)14奈米三閘極電晶體(Tri-gate...
2013 年 05 月 31 日

手機晶片加速整合 3D IC非玩不可

3D IC將是半導體業者站穩手機晶片市場的必備武器。平價高規智慧型手機興起,已加速驅動內部晶片整合與製程演進;然而,20奈米以下先進製程研發成本極高,但所帶來的尺寸與功耗縮減效益卻相對有限,因此半導體廠已同步展開3D...
2013 年 05 月 23 日

衝刺28奈米/FinFET研發 晶圓廠資本支出創新高

為爭搶先進製程商機大餅,包括台積電、格羅方德和三星等晶圓代工廠,下半年均將擴大資本設備支出,持續擴充28奈米製程產能;與此同時,受到英特爾衝刺FinFET技術研發刺激,各大晶圓廠也不斷加碼技術投資,將驅動整體晶圓代工產業支出向上飆升。
2013 年 05 月 13 日

急甩聯電 格羅方德大舉收購晶圓設備

日前茂德12吋晶圓廠出售標案,格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)從世界先進手中搶親成功,先取得約千件專攻90、65奈米(nm)以下製程的蝕刻、曝光等設備;分析師解讀,格羅方德此舉主要為補強先進製程完整性,同時以較低成本購入大量設備,用以轉換成28奈米產線,進一步拉大與聯電的市占差距。 ...
2013 年 04 月 09 日

平行處理效能激增 SoC FPGA擴張嵌入式版圖

SoC FPGA正迅速擴張嵌入式系統市場版圖。FPGA廠商正透過在更先進的奈米製程導入TSV和3D IC技術,大幅提升SoC FPGA的性能,進一步強化FPGA協同處理器與為系統創造差異化的角色,與ASIC、ASSP及DSP供應商搶食嵌入式系統市場杯羹。
2013 年 04 月 06 日

打造無縫聯網環境 SiP技術實現智慧家庭

系統封裝(SiP)技術將加速智慧家庭誕生。SiP技術能夠在有限的電路板中,整合各種無線聯網技術,讓傳輸與控制功能隱身於各類家用電子裝置中。透過這些設備與裝置的自動互聯溝通,消費者就能享受更便捷、舒適且人性化的服務,打造理想的智慧家庭。
2013 年 03 月 28 日

卡位10奈米世代 台積、漢辰搶布新製程/設備

台積電與漢辰正積極研發新製程與設備技術。由於半導體進入10奈米製程世代後,電晶體的微縮將面臨物理極限,亟需新的材料、製程與設備加以克服;因此台積電與漢辰皆已針對未來可望取代矽的鍺和三五族元素,分別投入發展新的晶圓製程,以及離子布植(Ion...
2013 年 03 月 28 日

製程準備就緒 3D IC邁入量產元年

2013年將出現首波3D IC量產潮。在晶圓代工廠製程服務,以及相關技術標準陸續到位後,半導體業者已計畫在今年大量採用矽穿孔(TSV)封裝和3D IC製程技術,生產高度異質整合的系統單晶片方案,以符合物聯網應用對智慧化和低功耗的要求。
2013 年 02 月 04 日

專訪台積電董事長暨總執行長張忠謀 台積28奈米產能今年擴三倍

台積電今年將大幅擴產28奈米(nm)製程產能。2012年台積電靠著領先的28奈米技術,在晶圓代工市場打下漂亮一仗,營收及獲利皆屢創新高。邁入2013年,台積電確信28奈米製程需求依然強勁,故預計將產能提高三倍,不予競爭對手可趁之機,同時也協助更多新客戶順利將晶片從40奈米轉進28奈米世代。
2013 年 02 月 04 日

養大金雞母 台積電28奈米產能將擴三倍

台積電將於2013年大幅擴產28奈米(nm)製程產能。2012年台積電靠著領先的28奈米技術,在晶圓代工市場打下漂亮一仗,營收及獲利皆屢創新高。邁入2013年,台積電確信28奈米製程需求依然強勁,故預計將產能提高三倍,不予競爭對手可趁之機,同時也協助更多新客戶順利將晶片從40奈米轉進28奈米世代。 ...
2013 年 01 月 18 日