功率/RF/光電應用火力全開　化合物晶圓市場爆發可期

據Yole Group的預估，在功率與光電應用的強勢帶動下，由碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)、砷化鎵(GaAs)與磷化銦(InP)組成的化合物半導體晶圓市場規模，將在2027年時成長到24億美元，2021~2027年間的複合年增率(CAGR)將達到16%。...
2022 年 11 月 14 日

ST將於義大利興建整合式SiC基板製造廠

意法半導體(ST)將於義大利興建一座整合式碳化矽(Silicon Carbide, SiC)基板製造廠，以支援汽車及工業用碳化矽元件與日俱增的需求，協助企業邁向電氣化並追求更高效率。新廠預計2023年開始投產，讓碳化矽基板的供應能在對內採購及業者供貨間達到平衡。...
2022 年 10 月 07 日

ST兩款電源模組簡化SiC逆變器設計

意法半導體(ST)推出兩款採用主流架構且內建1200V碳化矽(SiC)MOSFET的STPOWER電源模組。兩款模組皆採用ST的ACEPACK 2封裝技術，功率密度高且組裝簡易。 第一款模組A2F12M12W2-F1為一個全橋架構(Four-pack)四組模組，可為DC/DC轉換器等電路提供方便之高功率密度配置的全橋功率變換解決方案。第二款A2U12M12W2-F2模組則採用三電平T型逆變拓撲，兼具導通效能和開關效能，提供穩定的輸出電壓品質。...
2022 年 09 月 27 日

經濟部於SEMICON展出MRAM/電動車快充技術

經濟部技術處於2022 SEMICON Taiwan展出新技術，瞄準記憶體應用、電動車快充、次世代通訊、半導體量測設備與未來多樣化的元宇宙應用，推出包含SOT-MRAM陣列晶片、碳化矽功率模組、氮化鎵射頻高電子遷移率電晶體、2奈米量測機台，以及即時裸視3D服務系統，共五項技術研發成果。其中，碳化矽功率模組可將充電裝電壓提高至800V，滿足電動車的快充需求。...
2022 年 09 月 19 日

升級電源轉換效率　SiC MOSFET降低電磁損耗

超過1,000V電壓的應用通常使用IGBT解決方案。但如今碳化矽(SiC)元件性能卓越，能夠實現快速開關的單極元件，可取代雙極IGBT。這些SiC元件可以在較高的電壓下實施先前只能在較低電壓(<600V)下才可行的應用。與雙極IGBT相比，這些基於SiC的MOSFET可將功率損耗降低多達80%。SiC元件具有更高的系統效率和穩健性，以及更低的系統成本，適用於電信、伺服器、電動汽車充電站和電池組等應用。如果在基於矽的成熟MOSFET技術，和基於SiC的較新MOSFET之間進行選擇，需要考慮多種因素。...
2022 年 09 月 04 日

TI閘極驅動器減少SiC牽引逆變器功率損耗/熱散逸

隨著電動車(EV)製造商之間為了開發成本更低、續航里程更長的車型所進行的競爭日益激烈，電力系統工程師必須設法藉由降低功率損耗和提高牽引逆變器系統效率，來提升續航里程並增加競爭優勢。效率與較低的功率損耗有關，而這會影響熱性能、系統重量、尺寸和成本。降低功率損耗的需求將隨著開發功率更高的逆變器而持續存在，尤其是在這每輛汽車的馬達數量增加以及卡車轉向純電動車發展的現況下。...
2022 年 08 月 15 日

滿足高功率併網型應用　SiC實現低耗損/無縫功率轉換

碳化矽(SiC)元件能為電力輸送系統提供更高效率和可靠性，尤其是對用於併網型(Grid-Tied)應用的逆變器和主動式整流器，它們幾乎每天24小時，一年365天持續使用。由於業界正在推動更多具環保意識的解決方案，例如太陽能和電動汽車(EV)充電，因此對更高效率和更高可靠性元件的需求也在增加。...
2022 年 08 月 15 日

SEMIKRON/ROHM展開碳化矽功率元件合作計畫

SEMIKRON和ROHM開發碳化矽(SiC)功率模組方面已經有十多年的合作。ROHM的第4代SiC MOSFET正式被運用於SEMIKRON車規級功率模組「eMPack」，開啟了雙方合作的全新里程碑。此外，SEMIKRON已與德國一家大型汽車製造商簽署了10億歐元的合約，預計2025年起為該客戶提供此款創新型功率模組「eMPack」，今後ROHM與SEMIKRON也將繼續攜手為全球客戶提供高品質服務。...
2022 年 07 月 18 日

英飛凌/台達電聯手推動寬能隙技術進軍高階電源應用

數位化、低碳等全球大趨勢推升了市場對碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬能隙(WBG)功率元件的需求。這類元件具備獨特的技術特性，能讓電源產品具有更好的性能和能源效率。在電力電子領域長年耕耘的英飛凌(Infineon)與台達電，日前宣布深化合作關係，將加強推動寬能隙元件在高階電源產品上的應用。...
2022 年 07 月 14 日

實現更高效率/更低耗損　SiC功率元件追求零電壓切換

人們普遍認識到碳化矽(SiC)技術如今已發展成熟，並正逐漸改變電力產業在工業、能源和汽車等眾多領域的許多應用，範圍涵蓋功率從瓦特到兆瓦的不同設計。 這主要是因為SiC比以前的矽(Si)和絕緣閘雙極電晶體(IGBT)應用具備了更多優勢，包括更高的開關頻率，較低的工作溫度，更高的電流和電壓範圍，以及更低的損耗，進而能夠實現更高的功率密度、可靠性和效率。而且，由於溫度較低和磁材更小，因此熱管理和功率元件如今尺寸也變得更小、重量更輕、成本更低，不僅降低了整體的物料清單(BOM)成本，也可實現更小尺寸。...
2022 年 07 月 07 日

Qorvo第四代1200V碳化矽場效電晶體現身

Qorvo宣布推出1200V碳化矽(SiC)場效電晶體(FET)系列，新的UF4C/SC系列1200V第四代SiC FET適合800V匯流排結構，這種結構常見於電動車車載充電器、工業電池充電器、工業電源、直流太陽能逆變器、焊機、不斷電供應系統和感應加熱應用。...
2022 年 05 月 20 日

排除多重技術障礙　SiC MOSFET模組設計上手

功率半導體的並聯分成幾個層級， 最常見的是功率模組內部的晶片層級，這些層級可以達到更高的額定電流。其根據是，晶片只能設計為限定的額定電流，因此需要並聯多個晶片才能達到所需的額定電流。並聯可發生在單獨的模組層級，例如將六開關模組的三個支路並聯，便能建立一個額定電流為單獨支路三倍的半橋模組。另外，也可以採使用多個獨立封裝(例如TO-247)或一起切換的模組的形式，這裡將聚焦在後者的並聯範例。...
2022 年 05 月 16 日
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