碳化矽MOSFET助陣 工業傳動能源效率大勝以往

由於電動馬達占了工業大部分的耗電量,工業傳動的能源效率成為一大關鍵挑戰。因此,半導體製造商必須花費大量的心神,來強化轉換器階段所使用功率元件之效能。本文將會描述無論就能源效率、散熱片尺寸或是節省成本方面來看,工業傳動不用矽基(Si)絕緣柵雙極電晶體(IGBT)而改用碳化矽(SiC)MOSFET有哪些優點。
2019 年 08 月 15 日

落實快速DC充電架構 電池電動車行駛距離大躍進

隨著市場上電池電動車(BEV)的款式陸續推出,加上政府亟欲利用電動車將汽車排放量減到零,使BEV成為市場的新寵兒。但BEV最讓人詬病的其中一點,就是行駛距離遠比不上內燃機(IC)引擎的車輛。雖然絕大多數BEV的行駛距離約有160公里(100英里),足以涵蓋平均的日常通勤距離,也就是大約10至20公里。但是,汽車可不只是一項滿足單一活動就足夠的運輸工具,日常的通勤範圍通常還會包含接送小孩上學、放學後送小孩去課後活動,還要順路去超市。將所有這些額外的路程考慮進去後,有些消費者甚至可能將電動車的充電量完全耗盡。此外,與內燃機車輛不同的是,電動車的充電工作可不是幾分鐘就能完成。在考量距離更遠的旅程時,還要經常停車充電,可不會是經得起考驗的選項。
2019 年 08 月 12 日

電源供應市場帶頭衝 GaN功率IC商機超展開

GaN功率半導體,近來無論市場應用或技術進展皆跨入新的發展階段,加上研究機構單體式整合製程的催化,後市可望由電源供應市場逐步壯大。
2019 年 08 月 08 日

2018~2024年碳化矽CAGR達29%

根據產業研究機構Yole Développement(Yole)碳化矽(SiC)功率半導體市場產值到2024年將達到19.3億美元,該市場在2018年到2024年之間的年複合成長率達到29%。而汽車市場無疑是最重要的驅動因素,在2024年汽車應用約占總市場比重的50%。...
2019 年 08 月 01 日

GaN射頻元件2024年產業規模突破200億美元

近年來,由於氮化鎵(GaN)在高頻下的較高功率輸出和較小的占位面積,GaN已被RF工業大量採用。根據兩個主要應用:電信基礎設施和國防,推動整個氮化鎵射頻市場預計到2024年成長至20億美元,產業研究機構Yole...
2019 年 06 月 27 日

全力衝刺電動車市場 Cree擴大產能/攜手福斯集團

碳化矽(SiC)供應商Cree積極布局電動車市場,除投資10億美元擴大SiC產能,打造採用先進技術的自動化200mm SiC生產工廠和材料超級工廠,加速從矽(Si)向SiC的產業轉型,滿足EV電動汽車和5G市場需求外,近期也宣布成為大眾汽車集團(Volkswagen...
2019 年 05 月 20 日

推升大功率電源轉換器能效 新GaN功率開關鋒芒畢露

採用GaN HEMT可使電源轉換器的效率增加,對於大功率電源轉換器在能源節省方面有極大助益,並提升終端產品效能。
2019 年 05 月 09 日

ROHM推出內建1700V SiC MOSFET AC/DC轉換IC

半導體製造商ROHM針對大功率通用變流器、AC伺服器、工業用空調、街燈等工控裝置,研發出內建1700V耐壓SiC MOSFET的AC/DC轉換器ICBM2SCQ12xT-LBZ。 BM2SCQ12xT-LBZ是世界首款內建高度節能性的SiC...
2019 年 05 月 06 日

憑藉高切換/低損耗特性 SiC有效降低EV供電成本

插電式油電混合車和全電動車的需求正大幅成長,更嚴格的排放法規是推動需求成長的原因之一。這類車輛配備各式各樣的電力電子裝置,目前其中大部分都是以矽為基礎。不過目前和未來都需要進一步提升效率和功率密度。由於矽在效能方面停滯不前,碳化矽因而成為一種高效的替代選擇。
2019 年 04 月 15 日

資通訊軟硬體技術加持 電動車效能改善上軌道

電動車趨勢帶動傳統車廠、新興純電動車廠、Tier 1車廠、通路商、零組件或資通訊系統廠商,積極布局與發展相關解決方案。電動車半導體元件使用數量持續增加,挑選有潛力的系統/技術布局,將會找到下一個百年成長契機。
2019 年 04 月 08 日

矽材料已近物理極限急尋接班 寬能隙GaN表現優異可望出線

使用矽(Silicon)材料的金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)元件於1960年代問世,到了1998年以超接面(Super Junction)技術為主的功率晶體被開始使用,數十年來矽的功率晶體對電子產業的影響甚鉅,但到了今日,矽材料作為功率元件也接近物理開發極限,而相關從業人員早已考量寬能隙材料(Wide...
2019 年 03 月 28 日

Power Integrations推出SCALE-iDriver SiC-MOSFET閘極驅動器

Power Integrations (PI),宣佈推出SIC1182K SCALE-iDriver,這是一款高效率、單通道碳化矽(SiC) MOSFET閘極驅動器,可提供最高的可用峰值輸出閘極電流,而無需外部升壓階段。裝置可設定為支援不同閘極驅動器電壓需求,符合當今...
2019 年 03 月 19 日